國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(南京):勇?lián)谌雽?dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新使命,奮力打造原創(chuàng)技術(shù)策源地
SiC MOSFET器件突破了關(guān)鍵工藝,批量應(yīng)用于百萬輛新能…
碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的核心,主要用于功率+射頻器件,適用于600V以上的高壓場景,包括光伏、新能源汽車、充電樁、風(fēng)電、軌道交通等等電力電子領(lǐng)域。
SiC MOSFET器件突破了關(guān)鍵工藝,批量應(yīng)用于百萬輛新能…
近年來,SiC(碳化硅)作為典型的第三代半導(dǎo)體材料,在禁帶寬…
日前,海望資本投資企業(yè)臻驅(qū)科技完成C輪股權(quán)融資。本輪融資主要…
8月27日上午,臺(tái)州黃巖區(qū)舉行招商引資項(xiàng)目集中簽約儀式,江西…
近日,半導(dǎo)體功率器件供應(yīng)商上海功成半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡…
2022年8月24日,理想汽車功率半導(dǎo)體研發(fā)及生產(chǎn)基地在江蘇…