光掩模的制造工藝

光掩模是用于LSI等集成電路制造工序的重要器件。在透明玻璃板表面的遮光膜上蝕刻加工了非常微細的電路圖案，成為對硅晶圓復刻電路時的原版。將光掩模上的圖案縮小投射到硅晶圓上，形成微細的圖案。

曝光處理

將在光掩模表面形成的半導體器件的電路圖案，通過紫外線復刻到硅晶圓表面的光致抗蝕劑（感光樹脂）上。這時，圖案經光刻機（曝光裝置）的縮小透鏡縮小至原來的四分之一。

光掩模的制造工藝

根據電路圖案數據，采用電子束復刻技術在光掩模基板上形成掩膜圖案，然后經過蝕刻、去除感光樹脂、清洗、測定、檢查工序，最后完成光掩模的加工。

在以高精度研磨的高純度合成石英玻璃基板上蒸鍍鉻等，形成厚度為數十納米的遮光膜，這種狀態的玻璃基板被稱為光掩模底板

在光掩模底板表面均勻涂布光致抗蝕劑（感光樹脂），然后使用電子束繪制電路圖案。

3、顯影

去除經電子束曝光的光致抗蝕劑（根據光致抗蝕劑的種類，也有去除未曝光部分的情況）。

4、蝕刻

采用反應性氣體對露出遮光膜的部分進行化學反應（干蝕刻）加工。

5、去除光致抗蝕劑

最后，去除光致抗蝕劑并清洗，制成光掩模。此后，光掩模經過檢查工序等后出廠。

文章來源：凸版印刷，原文鏈接：https://www.toppan.co.jp/electronics/sc/photo_mask/semicon/

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