資金使 GF 更接近于大規模生產用于射頻和大功率應用的下一代氮化鎵芯片?氮化鎵芯片的大規模生產。
佛蒙特州埃塞克斯交界（ESSEX JUNCTION?），2024年12月4日--?GlobalFoundries（納斯達克股票代碼：GFS）（以下簡稱 "GF"）又從美國政府獲得了950萬美元的聯邦資助，用于推進GF位于佛蒙特州埃塞克斯交界的工廠的硅基氮化鎵（GaN）半導體的生產。這筆資金使 GF 更接近大規模生產氮化鎵芯片。氮化鎵芯片技術能夠承受高電壓和高溫，對于實現汽車、數據中心、物聯網、航空航天和國防等一系列射頻和大功率控制應用的更高性能和更高能效至關重要。
獲得該獎項后，GF 將繼續為其市場領先的氮化鎵 IP 產品組合和可靠性測試增加新的工具、設備和原型開發能力，公司將更接近在佛蒙特州全面制造其 200mm 氮化鎵芯片。GF 致力于為客戶創造一條快速高效的途徑，以實現新的創新設計和產品，充分利用氮化鎵芯片技術獨特的效率和電源管理優勢。
"GF為其在氮化鎵芯片技術領域的領先地位感到自豪，該技術的定位是在多個終端市場取得改變游戲規則的進步，并使新一代設備具有更節能的射頻性能和充電更快、壽命更長的電池，"GF物聯網和航空航天與國防副總裁Nicholas Sergeant說。"我們感謝美國政府對我們氮化鎵項目的合作和持續支持。對于我們的商業和政府合作伙伴來說，實現全面的氮化鎵芯片制造將成為創新的催化劑，并將增加半導體供應鏈的彈性和實力。
這筆新資金由美國國防部可信接入項目辦公室（TAPO）提供，是聯邦政府為支持 GF 在佛蒙特州的氮化鎵項目而投入的最新資金。
"對關鍵技術的戰略投資加強了我們的國內生態系統和國家安全，并確保這些資產隨時可供國防部安全使用。通過與主要合作伙伴的合作，這種方法強化了國防系統，增強了復原力和反應能力，"國防微電子活動主任尼古拉斯-馬丁博士（Dr. Nicholas Martin）說。
自 2020 年以來，包括這項新獎勵在內，GF 總共從美國政府獲得了 8000 多萬美元，用于支持研究、開發和進步，為全面制造氮化鎵芯片鋪平道路。
佛蒙特州是美國認可的可信代工廠，也是 GF 氮化鎵項目的全球中心，在 200mm 半導體制造領域長期處于領先地位。2024 年 7 月，GF 收購了 Tagore Technology 的氮化鎵功率產品組合，并在印度加爾各答創建了 GF 加爾各答功率中心。該中心與 GF 位于佛蒙特州的工廠密切配合并為其提供支持，有助于推動 GF 在氮化鎵芯片制造領域的研發和領先地位。
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