華虹無錫集成電路研發和制造基地二期項目12英寸生產線首批光刻機搬入

8月22日，華虹無錫集成電路研發和制造基地二期項目12英寸生產線首批光刻機搬入。

在本月初，華虹對外表示，無錫一期目前產能達9.45萬片/月，幾乎所有的工藝平臺都已穩步進行規模化生產。無錫二期在經過一年左右的建設后，目前已完成80%左右的工程，首臺設備的移入會在8月底進行，生產線至年底可完成通線，明年一季度開始釋放產能。目前所有五大工藝平臺均已具備在新12英寸產線上量產的準備，例如40nm及55nm新一代IC工藝以及新一代功率器件等，我們與客戶都保持一個非常高效、流暢的溝通，預計會有良好的產品交付。

2023年6月30日，華虹無錫集成電路研發和制造基地二期項目舉辦開工儀式，標志著華虹半導體“8 + 12”、先進“特色IC + Power”雙引擎戰略進一步深化，將特色工藝向更先進節點推進。

華虹無錫集成電路研發和制造基地是華虹集團走出上海、布局全國的第一個制造業項目。二期項目由華虹半導體制造（無錫）有限公司承擔，總投資67億美元，將建設一條工藝等級覆蓋65/55-40nm，月產能8.3萬片的12英寸特色工藝生產線。

6月28日，華虹半導體（01347）公告顯示，國家集成電路產業基金II簽署認購協議，大基金二期將作為戰略投資者參與認購華虹半導體科創板IPO股份，認購總金達到30億元。

當前，華虹在上海金橋和張江建有三座8英寸晶圓廠，月產能約18萬片。

上半年，華虹產能利用率已接近100%，主要歸因于消費電子的需求拉動。

在收入分配上，華虹的目標是保持中國大陸70%、海外30%的占比結構。近期中國大陸占比的上升，主要由于12英寸產線的產能提升，來自中國大陸的客戶會有更多新的需求。未來隨著第二座12英寸工廠的產能釋放，預計會有更多的海外客戶以及他們的新產品需求轉移到新的12英寸平臺上。

華虹半導體專注于嵌入式/獨立式非易失性存儲器、功率器件、模擬與電源管理和邏輯與射頻等“8英寸+12英寸”特色工藝技術的持續創新。

文章來源：1 ic網、半導體行業聯盟等