VisIC與賀利氏電子、PINK合作開發 GaN 功率模塊

2024年7月29日，全球領先的第三代半導體GaN（氮化鎵）器件設計公司VisIC Technologies宣布與全球領先的電子器件組裝和封裝材料制造商Heraeus Electronics（賀利氏電子）以及知名燒結設備制造商PINK GmbH Thermosysteme合作，開發了一種采用D3GaN技術的先進電力模塊。這款突破性的電力模塊基于氮化硅（Si?N?）陶瓷基板、創新的銀（Ag）燒結工藝和先進的頂部互連，旨在滿足電動汽車行業對高可靠性和性能的嚴格標準，其先進的材料和創新的結構技術確保其能夠提供現代BEV所需的超過500Arms/650V的高功率密度和效率，同時在接近硅器件的成本下提供長期的可靠性和耐久性。

這次合作集結了VisIC在GaN器件方面的專業知識、Heraeus Electronics的尖端封裝材料技術以及PINK的先進燒結技術。這些行業領袖的協同作用促成了這一設立GaN基電力模塊新標準的模塊的開發，將革新電動汽車行業。

VisIC的D3GaN技術是這個電力模塊的核心，它顯著提高了效率、熱管理和功率密度。該技術利用氮化鎵的優越電氣特性，實現了比傳統硅基設備更快的開關速度和更高的功率處理能力。

使用Si?N?金屬陶瓷基板是該電力模塊的一項關鍵創新。Si?N?以其卓越的熱導率、機械強度和在高溫條件下的可靠性而聞名。這些特性對于電動汽車應用中要求苛刻的環境至關重要，確保電力模塊能在日常使用中經受住考驗，同時保持最佳性能。

PINK采用的銀燒結工藝提高了模塊的熱導率和電導率。銀燒結是一種低溫連接工藝，能夠在組件之間形成堅固可靠的連接，提升了模塊的整體耐久性和效率。這一工藝對于EV動力系統中所需的高可靠性至關重要，確保性能的一致性。