■ Hitachi Energy?
創新技術突破將提高芯片生產能力，并提供結構更為復雜的1200V絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。
日前，日立能源成功推出300毫米（mm）晶圓，在功率半導體領域實現了重要的技術突破。這一創新成果提升了芯片的生產能力，并實現結構更加復雜的1200V IGBT，該半導體器件能夠幫助大功率應用快速切換電源。IGBT的應用包括變頻器（VFD）、不間斷供電（UPS）系統、電動汽車、火車和空調等多個領域。
?▲?日立能源應用于IGBT功率半導體器件的300毫米晶圓?
與現有的200mm晶圓相比，更大的晶圓具備顯著的優勢，例如每塊300mm晶圓的集成電路數量可增加一倍以上（2.4倍），從而大幅降低成本。該產品還采用了最新一代的精密溝槽型IGBT設計，實現了高效的功率轉換和控制，同時更大限度地減少操作過程中的功率損耗。
開發300mm晶圓對于加速能源轉型至關重要，能夠有效促進可再生能源和工業領域對資源的高效利用。
在日立能源，半導體專家們與跨職能團隊緊密合作，涵蓋產品管理、業務開發、研發和芯片代工合作伙伴等多個領域，共同實現了這一具有里程碑意義的技術突破。
日立能源致力于突破技術界限，探索全新解決方案，以加速邁向更高效和更可持續的未來。全新300mm IGBT產品彰顯了公司在不斷變革的能源領域引領社會創新的承諾。
原文始發于微信公眾號（日立能源）：日立能源推出應用于IGBT的300毫米晶圓，加速半導體技術發展
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