Qorvo? 推出緊湊型 E1B 封裝的 1200V SiC 模塊

全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo??（納斯達克代碼：QRVO）宣布推出四款采用緊湊型 E1B 封裝的 1200V 碳化硅 (SiC) 模塊，其中兩款為半橋配置，兩款為全橋配置，導通電阻 R_DS(on)?最低為 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模塊非常適合電動汽車充電站、儲能、工業電源和太陽能等應用。

Qorvo SiC 電源產品線市場總監 Ramanan Natarajan 表示：“該全新系列中的模塊可以取代多達四個分立式 SiC FET，從而簡化熱機械設計和裝配。我們的共源共柵技術還支持以更高的開關頻率運行，通過使用更小的外部元件進一步縮小解決方案的尺寸。這些模塊的高效率特性可以簡化電源設計流程，讓我們的客戶能夠專注做好單一模塊的設計、布局、組裝、特性分析和認證，無需應對多個分立式元件。”

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以 9.4mΩ 導通電阻的 UHB100SC12E1BC3N 為代表的這四款 SiC 模塊均采用 Qorvo 獨特的共源共柵配置，最大限度地降低了導通電阻和開關損耗，從而能夠極大地提升效率，這一優勢在軟開關應用中尤為顯著。另外，銀燒結芯片貼裝將熱阻降至 0.23 °C/W；與帶“SC”的產品型號中的疊層芯片結構相結合，其功率循環性能比市場同類 SiC 電源模塊高出 2 倍。得益于以上特性，這些高度集成的 SiC 電源模塊不僅易于使用，而且具有卓越的熱性能、高功率密度和高可靠性。

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下表概述了 Qorvo 全新的 1200V SiC 模塊系列：

Qorvo 功能強大的設計工具套件（例如 FET-Jet Calculator 和 QSPICE??軟件）有助于產品選擇和性能仿真。如需詳細了解有關 Qorvo 先進的工業應用 SiC 解決方案，請訪問 cn.qorvo.com/go/sic。

原文始發于微信公眾號（Qorvo半導體）：Qorvo? 推出緊湊型 E1B 封裝的 1200V SiC 模塊