金剛石半導體具有超寬禁帶(5.45eV),高擊穿場強(10MV/cm)、高載流子飽和漂移速度、高熱導率(22W/cmK)等材料特性,以及優(yōu)異的器件品質因子(Johnson、Keyes、Baliga),采用金剛石襯底可研制高溫、高頻、大功率、抗輻照電子器件,克服器件的“自熱效應”和“雪崩擊穿”等技術瓶頸,在5G/6G通信,微波/毫米波集成電路,探測與傳感等領域發(fā)展起到重要作用。目前,金剛石電子器件的發(fā)展受限于大尺寸、高質量的單晶襯底。硅、藍寶石等襯底的商業(yè)化,為異質外延單晶金剛石提供了前提條件。
近日,西安交大研究團隊采用微波等離子體化學氣相沉積(MPCVD)技術,成功實現(xiàn)2英寸異質外延單晶金剛石自支撐襯底的批量化(如圖一所示)。通過對成膜均勻性、溫場及流場的有效調(diào)控,提高了異質外延單晶金剛石成品率。襯底表面具有臺階流(step-flow)生長模式(如圖二所示),可降低襯底的缺陷密度,提高晶體質量。XRD(004)、(311)搖擺曲線半峰寬分別小于91 arcsec和111 arcsec(如圖三所示),達到世界領先水平。
圖一.?2英寸異質外延單晶金剛石自支撐襯底照片圖二.?異質外延金剛石光學顯微鏡照片(a)放大100倍(b)放大500倍
圖三. XRD測試結果(a)(004)面搖擺曲線;(b)(311)面搖擺曲線;(c)(311)面四重對稱;(d)極圖
西安交大寬禁帶半導體材料與器件研究中心于2013年建立,實驗室主任為國家級特聘專家王宏興教授。實驗室經(jīng)過近10年的發(fā)展,已形成具有自主知識產(chǎn)權的金剛石半導體外延設備研發(fā)、單晶/多晶襯底生長、電子器件研制等系列技術,已獲授權48項專利。與國內(nèi)相關大型通信公司,中國電科相關研究所等開展金剛石半導體材料與器件的廣泛合作,促進了金剛石射頻功率電子器件、電力電子器件、MEMS等器件的實用性發(fā)展。
推薦活動:
01
Translation: Conference Topics
序號 |
Provisional agenda |
擬邀請企業(yè) |
1 |
8英寸碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化進展 |
擬邀請?zhí)蓟枰r底企業(yè)/高校研究所 |
2 |
大尺寸碳化硅單晶生長技術痛點解析 |
擬邀請?zhí)蓟鑶尉е苽淦髽I(yè)/高校研究所 |
3 |
新一代切片機“破局”8英寸碳化硅 |
擬邀請切割設備企業(yè)/高校研究所 |
4 |
激光技術在碳化硅切割及劃片上的應用 |
擬邀請激光企業(yè)/高校研究所 |
5 |
液相法制備碳化硅技術 |
擬邀請?zhí)蓟杵髽I(yè)/高校研究所 |
6 |
國產(chǎn)MBE設備應用及發(fā)展情況 |
擬邀請?zhí)蓟柰庋悠髽I(yè)/高校研究所 |
7 |
SiC MOS器件結構設計解決方案 |
擬邀請?zhí)蓟杵骷髽I(yè)/高校研究所 |
8 |
車用碳化硅加工工藝與要點研究 |
擬邀請?zhí)蓟杓庸て髽I(yè)/高校研究所 |
9 |
利用碳化鉭的碳化硅單晶生長技術 |
擬邀請?zhí)蓟杵髽I(yè)/高校研究所 |
10 |
碳化硅襯底研磨拋光工藝及耗材技術 |
擬邀請研磨拋光設備企業(yè)/高校研究所 |
11 |
適用于8英寸碳化硅的先進切割工藝 |
擬邀請切割設備企業(yè)/高校研究所 |
12 |
化學機械拋光在碳化硅上的反應機理 |
擬邀請拋光設備企業(yè)/高校研究所 |
13 |
碳化硅襯底及外延缺陷檢測技術 |
擬邀請檢測設備企業(yè)/高校研究所 |
14 |
8英寸碳化硅外延材料生長核心工藝與關鍵裝備 |
擬邀請?zhí)蓟柰庋悠髽I(yè)/高校研究所 |
15 |
外延摻雜技術的優(yōu)化與改進 |
擬邀請?zhí)蓟柰庋悠髽I(yè)/高校研究所 |
16 |
8英寸碳化硅的氧化工藝技術 |
擬邀請?zhí)蓟杵髽I(yè)/高校研究所 |
17 |
碳化硅離子注入設備技術 |
擬邀請離子注入企業(yè)/高校研究所 |
18 |
高純度碳化硅粉末制備碳化硅晶體 |
擬邀請激光企業(yè)/高校研究所 |
19 |
碳化硅先進清洗技術 |
擬邀請清洗設備企業(yè)/高校研究所 |
20 |
碳化硅關鍵裝備的現(xiàn)狀及國產(chǎn)化思考 |
擬邀請?zhí)蓟柙O備企業(yè)/高校研究所 |
Translation: More related topics are being collected. For speeches and sponsorships, please contact Ms. Zhang: 13418617872 (also WeChat).
02 擬邀企業(yè)
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高純碳粉、硅粉、碳化硅粉末、坩堝、籽晶等材料企業(yè);
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晶錠、襯底、外延、晶圓等產(chǎn)品企業(yè);
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碳化硅晶體、外延生長等設備企業(yè);
-
金剛石線切割、砂漿線切割、激光切割等切割設備企業(yè);
-
碳化硅磨削、研磨、拋光和清洗及耗材等企業(yè);
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檢測、退火、減薄、沉積、離子注入等其他設備企業(yè);
-
高校、科研院所、行業(yè)機構等;
03
報名方式
方式1:加微信
?
?
https://www.aibang360.com/m/100182?ref=172672
04 收費標準
付款時間 |
1~2個人(單價每人) |
3個人及以上(單價) |
4月11日前 |
2600/人 |
2500/人 |
5月11日前 |
2700/人 |
2600/人 |
6月11日前 |
2800/人 |
2700/人 |
現(xiàn)場付款 |
3000/人 |
2800/人 |
★費用包括會議門票、全套會議資料、午餐、茶歇等,但不包括住宿。
05 贊助方案
項目 |
服務內(nèi)容 |
主題演講+現(xiàn)場展臺 |
30 分鐘主題演講 |
3個參會名額 |
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商標展示:背景板logo、會刊封面logo |
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現(xiàn)場展示臺1個,主辦方提供搭建噴繪背景板搭建,客戶自行設計(設計稿規(guī)格要求:寬*高 200cm*112.5cm,分辨率100以上,格式為PSD或AI原文件) |
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會刊廣告 |
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易拉寶/禮品贊助(2選1) |
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主題演講 |
30 分鐘主題演講 |
現(xiàn)場展臺 |
現(xiàn)場展示臺,展示樣品、資料以及洽談 |
噴繪背景板1個,主辦方提供搭建搭建,客戶自行設計(設計稿規(guī)格要求:寬*高 200cm*112.5cm,分辨率100以上,格式為PSD或AI原文件) |
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3個參會名額 |
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會刊廣告 |
研討會會刊,彩色全頁廣告(尺寸210*285mm) |
側屏廣告 |
主講屏幕LED兩邊側屏,單邊側屏廣告,全天會議期間展示(客戶自行設計,圖片尺寸以實際面積為準) |
參會證掛繩贊助 |
掛繩上印刷公司名稱及LOGO |
參會證贊助 |
參會證上印刷公司名稱及LOGO |
資料袋贊助 |
資料袋上印刷公司名稱及LOGO |
桌牌贊助 |
桌牌上印刷公司名稱及LOGO |
資料入袋 |
企業(yè)宣傳冊(不超過6頁)放入資料袋 |
會議通訊錄banner橫幅廣告 |
植入在本會議觀眾通訊錄置頂?shù)臋M幅廣告,有效期6個月 |
Logo展示 |
背景板logo,會刊封面logo |
易拉寶 |
現(xiàn)場放置1個易拉寶作為展示 |
禮品贊助 |
禮品可印上公司logo,贈送參會聽眾作為企業(yè)標識推廣 |
微信推送 |
微信公眾號軟文推廣,企業(yè)介紹及相關軟文1篇 |
原文始發(fā)于微信公眾號(艾邦半導體網(wǎng)):西安交通大學實現(xiàn)2英寸異質外延單晶金剛石襯底量產(chǎn)
一顆芯片的制造工藝非常復雜,需經(jīng)過幾千道工序,加工的每個階段都面臨難點。歡迎加入艾邦半導體產(chǎn)業(yè)微信群:
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