IGBT全稱“絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor）”，自商業(yè)化應(yīng)用以來，其作為新型功率半導(dǎo)體器件的主型器件，在1-100kHz的頻率應(yīng)用范圍內(nèi)占據(jù)重要地位，被廣泛應(yīng)用于工業(yè)、4C（通信、計算機、消費電子、汽車電子）、航空航天、國防軍工等傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域以及軌道交通、新能源、智能電網(wǎng)、新能源汽車等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。
圖 IGBT器件市場應(yīng)用領(lǐng)域
近年來，激光退火（LSA）被認為是對前道IC超淺結(jié)（USJ）和硅化物退火的技術(shù)突破，后續(xù)擴展至BSI-CIS、TFT晶化和激光剝離等應(yīng)用領(lǐng)域。與傳統(tǒng)退火工藝（如RTP、Furnace）相比，激光退火可精確控制硅片面的能量密度，并具備更短的脈沖駐留時間、更高的激活效率、更少的熱擴散、亞熔和完全熔化退火等優(yōu)勢。隨著IGBT技術(shù)發(fā)展和薄片加工工藝研發(fā)的需要，越來越多的IGBT背面退火應(yīng)用開始引入激光退火技術(shù)。
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典型IGBT激光退火工藝
IGBT背面工藝首先是基于已完成正面Device和金屬Al層的基礎(chǔ)上，將硅片通過機械減薄或特殊減薄工藝（如Taiko、Temporary Bonding 技術(shù)）進行減薄處理，然后對減薄硅片進行背面離子注入，如N型摻雜P離子、P型摻雜B離子。
圖 IGBT退火過程分析
原文始發(fā)于微信公眾號（上海微電子裝備集團）：IGBT激光退火工藝簡介
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