天岳先進P型碳化硅襯底，高壓電網的革新引擎

近日，天岳先進向客戶成功交付高質量低阻P型碳化硅襯底，標志著向以智能電網為代表的更高電壓領域邁進了一步。高質量低阻P型碳化硅襯底將極大加速高性能SiC-IGBT的發(fā)展進程，實現(xiàn)高端特高壓功率器件國產化。

針對高壓大功率電力電子器件用P型碳化硅單晶襯底存在的成本高、電阻率高、缺陷控制難度大等技術難題，天岳先進深化布局前瞻性技術，在備受關注的液相法領域，繼2023年公布了全球首個8英寸碳化硅晶體后再次取得了重大突破，于2024年推出了采用液相法制備的4度偏角P型碳化硅襯底。

液相法具有生長高品質晶體的優(yōu)勢，在長晶原理上決定了可以生長超高品質的碳化硅晶體。天岳先進布局液相法多年，目前在該領域獲得了低貫穿位錯和零層錯的碳化硅晶體。通過液相法制備的P型4度偏角碳化硅襯底，電阻率小于200mΩ·cm，面內電阻率分布均勻，結晶性良好。

天岳先進n型產品市占率全球第二，高純半絕緣型碳化硅襯底產品連續(xù)五年全球市占率排名第三。2023年，公司與英飛凌、博世等下游功率器件、汽車電子領域知名企業(yè)簽署了長期合作協(xié)議。導電型n型碳化硅襯底產品在大功率功率器件上優(yōu)勢明顯，在電動汽車領域具有卓越優(yōu)勢。天岳先進的車規(guī)級產品獲得了國際客戶的認可，實現(xiàn)了6英寸和8英寸碳化硅導電型襯底產品批量銷售。高純半絕緣碳化硅襯底產品，為高頻高輸出的射頻器件提供材料品質基礎，適用于5G基站射頻器件，衛(wèi)星通信等應用。