JDI 開發出世界首個 G6 氧化物半導體 TFT，場效應遷移率提高 4 倍

3月30日，日本顯示器公司 (JDI) 宣布在其位于日本茂原的 G6 工廠成功開發出世界上第一個背板技術，從根本上改善傳統氧化物半導體薄膜晶體管 (OS-TFT) 的性能，并將立即開始將該新技術商業化。

JDI 的新 OS-TFT 技術可生成高遷移率氧化物半導體 (HMO)，其場效應遷移率是傳統 OS-TFT 2 倍，而超高遷移率氧化物半導體 (UHMO)，其場效應遷移率是傳統 OS-TFT 的 4 倍。UHMO在JDI G6量產線上的場效應遷移率為52cm2/Vs，超高水平。 也就是說，HMO 可實現與 LTPS 相同水平的導通電流，同時保持低截止漏電流。

晶體管 I-V 特性比較

HMO 的另一個優勢是，傳統的高遷移率 AMOLED 背板需要 LTPS 技術，這將玻璃基板尺寸限制在 G6，但 HMO 可用于 G8 或更大的生產線。

JDI 相信 HMO 將大幅加速顯示技術創新，并有助于顯著提高 OLED 和 LCD 顯示性能，包括：

• 更低的功耗；
  
• 對于元界 VR/AR 顯示，更高的分辨率和更高的刷新率，為元界用戶提供更深層次的沉浸感和現實融合；
  
• 對于透明顯示器，更高的透明度和圖像質量以及更大的顯示器。
  

HMO 屬性

傳統的 OS-TFT 存在偏置溫度應力 (BTS) 的問題，當試圖獲得高場效應遷移率時，這會導致可靠性差和圖像劣化。

場效應遷移率比較

然而，通過利用 JDI 多年來開發的制造工藝專有技術，JDI 憑借 HMO 克服了這些挑戰，這是一種具有卓越特性的全新突破性 OS-TFT。

偏置溫度應力變化特性比較

HMO同時實現了高場效應遷移率和穩定的BTS，同時實現了OS-TFT的低截止漏電流和LTPS的圖像驅動穩定性。HMO 使用出光興產株式會社開發的結晶氧化物材料。

JDI 已經在與多個客戶進行 HMO 部署討論，并計劃在 2024 年開始量產。