II-VI Incorporated簽署多年合同,向英飛凌提供用于電力電子的150mm SiC基片
寬帶隙化合物半導(dǎo)體的領(lǐng)導(dǎo)者貳陸公司(Nasdaq: IIVI…
碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的核心,主要用于功率+射頻器件,適用于600V以上的高壓場景,包括光伏、新能源汽車、充電樁、風(fēng)電、軌道交通等等電力電子領(lǐng)域。
寬帶隙化合物半導(dǎo)體的領(lǐng)導(dǎo)者貳陸公司(Nasdaq: IIVI…
8月18日,位于哈爾濱新區(qū)的科友第三代半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)項(xiàng)目…
近日,清純半導(dǎo)體推出了1200V/14mΩ SiC MOSF…
寬帶隙化合物半導(dǎo)體的領(lǐng)導(dǎo)者貳陸公司(Nasdaq: IIVI…
“ 氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體宣布收購碳化硅行業(yè)先驅(qū)…
2022年8月,四川省首家專注于寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅功率器件設(shè)…
50 mm,是什么概念?一本字典的厚度、一個(gè)火柴盒的長度………
2022年7月26日,第三屆宜興太湖灣國際青年精英科創(chuàng)挑戰(zhàn)賽…
山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司發(fā)布公告稱,于近日與某客戶簽訂了…