構(gòu)建垂直晶體管可提供比橫向晶體管更高密度的功率器件，并采用可用于 200mm和 300mm晶圓的硅基氮化鎵工藝。然而，以前的單晶晶圓一直難以制造出大于 4 英寸的單晶。
大阪大學和豐田合成公司的研究人員制作了一個 200mm多點種子 (MPS) 襯底，并成功在襯底上生長出對角線長度略小于 200mm的六角形 GaN 晶體。這采用了 Na-flux 工藝，這是一種成熟的高溫液相外延 (LPE) 工藝。研究人員預(yù)計 Na-flux 法將成為獲得理想塊狀 GaN 晶體的關(guān)鍵技術(shù)。
據(jù)介紹，該襯底用于生長600V垂直GaN晶體管，具有常閉操作，柵極電壓閾值超過2V，導(dǎo)通狀態(tài)下最大漏極電流為3.3A。此外，它還表現(xiàn)出超過600V的擊穿電壓和關(guān)斷狀態(tài)下的低漏電流。
日本環(huán)境省正在主導(dǎo)一項GaN功率器件廣泛應(yīng)用的項目，而豐田合成則提供獲得理想GaN晶體的基礎(chǔ)晶圓。
該項目的成果之一是，在豐田合成與大阪大學共同開發(fā)的GaN籽晶上制作的GaN襯底，功率器件的性能得到了顯著提升。與在市售襯底上制作的功率器件相比，使用這些GaN襯底制作的功率器件在功率調(diào)節(jié)能力和成品率方面都表現(xiàn)出更高的性能。
該公司此前已為24kW太陽能發(fā)電場電力轉(zhuǎn)換器開發(fā)了高壓1500V橫向GaN晶體管。
注：來源于日本豐田官網(wǎng)、eenews，文章僅供參考，如涉及到侵權(quán)等問題，請聯(lián)系小編刪除
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一、會議議題
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聯(lián)系方式
原文始發(fā)于微信公眾號（艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)）：日本豐田開發(fā)出8英寸GaN單晶晶圓
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