投產倒計時，長飛先進武漢基地設備搬入

作者808, ab

12月 18, 2024

12月18日，據“長飛先進”官微消息，長飛先進武漢基地建設再次迎來新進展——項目首批設備搬入儀式于光谷科學島成功舉辦。

對于半導體行業而言，廠房建設一般主要分為四個階段：設備選型、設備搬入、工藝驗證及產品通線。本次設備搬入作為廠房建設發展歷程中重要一環，標志著長飛先進武漢基地即將邁入工藝驗證新階段，全面投產正式進入倒計時。

此次武漢基地項目設備搬入時間比原定計劃時間實現了大幅提前。本次搬入的設備涵蓋芯片制造各個環節，包括薄膜淀積、離子注入、光刻、刻蝕等，將為武漢基地構建全鏈條生產能力、加速通線量產奠定堅實根基。

據了解，長飛先進武漢基地于2023年8月25日落戶光谷，今年6月封頂。項目聚焦第三代半導體功率器件研發與生產，總投資預計超過200億元，其中項目一期總投資80億元，規劃年產36萬片6英寸碳化硅晶圓。

來源：長飛先進官微

為加快產業上下游企業交流，艾邦建有IGBT/SiC功率半導體產業鏈交流，歡迎識別二維碼加入產業鏈微信群及通訊錄。

推薦活動：【邀請函】2025年第四屆功率半導體產業論壇

2025年第四屆功率半導體產業論壇

The 4th Power Semiconductor Devices Industry Forum

Si SiC GaN

2025年6月13日

蘇州日航酒店

一、會議議題

序號	暫定議題	擬邀請
1	車規功率半導體器件應用現狀與趨勢?	擬邀請模塊/汽車企業/高校研究所
2	碳化硅(SiC)在新能源汽車電機驅動系統中的應用	擬邀請模塊/汽車企業/高校研究所
3	電動汽車電機控制器的發展?	擬邀請模塊/汽車企業/高校研究所
4	面向光伏儲能系統應用的功率模塊	擬邀請模塊/光伏儲能企業/高校研究所
5	IPM 智能功率模塊的設計與應用	擬邀請IPM企業/高校研究所
6	氧化鎵（GaN）功率器件的研究進展	擬邀請GaN企業/汽車企業/高校研究所
7	氮化鎵功率器件在汽車領域的機遇	擬邀請GaN企業/高校研究所
8	溝槽型SiC MOSEET器件研制及應用進展	擬邀請SiC企業/高校研究所
9	高功率密度SiC功率模塊設計與開發	擬邀請SiC模塊企業/高校研究所
10	碳化硅(SiC)功率模塊關鍵技術研究	擬邀請SiC模塊企業/高校研究所
11	IGBT器件新結構研究	擬邀請IGBT企業/高校研究所
12	車規級功率器件的封裝技術及可靠性研究進展	擬邀請模塊企業/高校研究所
13	功率模塊焊接工藝技術進展	擬邀請工藝/模塊企業/高校研究所
14	碳化硅功率模塊大面積銀燒結工藝技術進展	擬邀請材料/模塊企業/高校研究所
15	高性能功率模塊銅互聯技術研究進展	擬邀請材料/模塊企業/高校研究所
16	功率半導體器件高效熱管理技術研究進展	擬邀請熱管理企業/高校研究所
17	功率模塊用AMB氮化硅陶瓷覆銅基板	擬邀請載板企業/高校研究所
18	功率端子超聲焊接工藝技術	擬邀請超聲技術企業/高校研究所
19	功率半導體模塊的無損檢測解決方案	擬邀請檢測企業/高校研究所
20	功率半導體器件自動化生產解決方案	擬邀請自動化企業/高校研究所

更多相關議題征集中，演講及贊助請聯系張小姐：13418617872 （同微信）

二、報名方式

收費標準

付款時間	1-2個人	3個人及以上
2025年4月13日前	2600/人	2500/人
2025年5月13日前	2700/人	2600/人
2025年6月13日前	2800/人	2700/人
現場付款	3000/人	2800/人