近140億，這3個三代半項目簽約、建廠

根據批準的計劃，電裝與富士電機兩家企業將合計投資 2116 億日元（約 101.31 億元人民幣），提升日本碳化硅 SiC 功率半導體產能，并在制造方面展開合作；日本政府將向該計劃提供最多 705 億日元（大致為 1/3）的補貼。

具體來說，富士電機將在長野縣松本市工廠投資建設碳化硅 SiC 外延片、功率半導體產能；而電裝則將在三重縣大安制作所向 SiC 晶圓制造投資，并在愛知縣幸田制作所投資提升 SiC 外延片的生產能力。

11月29日，據“麗水發布”消息，在浙西南革命老區發展論壇主旨會議上，麗水市進行了7個重大產業項目的合作簽約。

其中，麗水經濟技術開發區管委會簽約總投資23億元的第三代半導體芯片制造項目。該項目屬于新能源汽車、智能電網的產業鏈上游，將建設芯片制造生產線，布局外延制造、封裝測試等生產線，是麗水特色半導體“萬畝千億”新產業平臺的又一標志性重大項目。

據中國臺灣消息，投資臺灣事務所11月22日通過5家企業擴大投資臺灣地區，其中，中國臺灣碳化硅長晶廠商格棋將投資57億元新臺幣（約12.73億人民幣）于中壢工業區興建新廠房及擴建產線，導入自動化技術及運用大數據資料管理及追蹤生產資料，并使用智慧能源管理系統，以最佳化供電及緊急供電需求。

公開資料顯示，格棋成立于2022年，專注于長晶等第三代化合物半導體的工藝技術開發。其官網顯示，公司目前產品涵蓋6英寸N型碳化硅襯底以及晶錠。

此前10月22日，格棋舉行了中壢新廠落成典禮。格棋中壢新廠總投資金額為6億元新臺幣，預計2024年第四季達到滿產。其中6英寸碳化硅晶片月產能可達5000片，到2024年底，新廠將安裝20臺8英寸長晶爐及100臺6英寸長晶爐提升整體產能。

此外，格棋還與中國臺灣中山科學研究院合作，雙方將共同開發高頻通訊用碳化硅組件，通過此次合作加速進軍高頻通訊碳化硅市場的腳步，為5G/B5G通訊基礎建設提供關鍵組件。

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2025年第四屆功率半導體產業論壇

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