SiC（碳化硅）相較于傳統硅器件，能夠顯著降低損耗，因此在智能電網、新能源汽車中備受青睞。聞泰科技半導體業務積極布局第三代半導體領域，加速發力SiC技術，迎接未來廣闊發展機遇。
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碳化硅（SiC）俗稱金剛砂，是硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物。SiC晶體管是天然的E型MOSFET，導通電阻遠低于硅MOSFET，因而能效更高。此外，其高壓、高電流的特性使其很適合用于汽車電源電路。
隨著全球對新能源汽車的加速推廣，SiC的需求呈現爆炸式增長。EVTank數據顯示，2023年全球新能源汽車銷量達到1465.3萬輛，同比增長35.4%，預計到2030年將達到4700萬輛。受益于汽車電氣化的持續推進，市場對SiC的需求增長明顯，過去5年，特斯拉和比亞迪等OEM的汽車中SiC MOSFET的采用量出現了驚人的增長。
光伏風電和儲能也是SiC快速發展的重要推動力。同時疊加“雙碳”戰略的推動，給SiC市場帶來了巨大的潛力。Yole Group預測，到2029年，功率SiC器件市場將達到近100億美元。
對于汽車領域來說，為了克服電車續航里程和充電速度上的兩大短板，電動汽車行業正加速升級電池系統。功率更高的電壓系統需要1200V的耐壓功率芯片，所以1200V的SiC功率器件是業界共同的發力方向。
目前公司半導體業務已成功研發出具有性能優異的1200V SiC MOSFET，不同規格以及封裝靈活的SiC MOSFET器件，可以滿足電動汽車OBC、充電樁、不間斷電源以及太陽能和儲能系統等多個汽車和工業市場。
通過創新工藝技術，公司半導體業務的SiC MOSFET產品組合在多個參數上實現了一流的性能：
出色的導通電阻溫度穩定性
在25℃至175℃范圍內，RDS(on)標稱值僅增加30%
出眾的綜合品質因數FoM
綜合損耗更小，效率更高，增強器件可靠性
出色的閾值電壓穩定性
均衡的載流性能，高穩健性，能夠延長產品壽命
低體二極管正向壓降
有助于提高器件穩健性和效率，放寬死區時間要求
公司半導體業務在SiC領域的創新和產品開發為未來的增長奠定了堅實的基礎。隨著全球對高效率、低功耗電力電子器件的需求不斷增長，聞泰科技半導體業務的產品有望在智能電網、新能源汽車、光伏風電和儲能等領域發揮更大的作用，進一步推動行業的持續發展和創新。
原文始發于微信公眾號（聞泰科技）：科技創新丨發力碳化硅領域，1200V SiC MOSFET強勁助力電動汽車加速發展
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