信越化學工業株式會社成功開發了一種專用于氮化鎵（GaN）生長的300毫米（12英寸）QST?襯底，并開始提供樣品。信越化學此前已銷售150毫米和200毫米的QST?襯底及其相關的GaN外延片，但由于客戶需求，他們成功擴大到300毫米。
GaN材料可以在現有的硅生產線上使用，理論上可以通過增加襯底尺寸來降低生產成本，但大尺寸襯底容易出現翹曲和裂紋的問題，影響了生產效率。新開發的300毫米QST?襯底能夠實現無翹曲和無裂紋的厚膜GaN外延生長，大幅降低了設備成本。信越化學計劃進一步量產300毫米襯底，以加速GaN設備的普及，促進可持續社會的發展。
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