2024年7月30日—?香港科技園公司（科技園公司）與麻省光子技術(香港)有限公司(麻省光子技術)今日舉行香港首條超高真空「第三代半導體氮化鎵(GaN)外延片中試線啟動禮」，共同推動香港微電子產業發展，標志著香港新型工業化發展邁進新里程。麻省光子技術計劃于香港科學園設立全港首個第三代半導體氮化鎵(GaN)外延工藝全球研發中心，以及于創新園開設首條超高真空量產型氮化鎵(GaN)外延片中試線，預計將在香港投資至少2億港元及設立研發團隊，帶動整個第三代半導體產業鏈布局，令香港微電子創科生態更為蓬勃，新型工業化發展扎實落地。
此次合作在創新科技及工業局局長孫東教授、創新科技及工業局副局長張曼莉女士、引進重點企業辦公室副總裁(先進制造與新能源科技)王國藩先生、香港科技園公司行政總裁黃克強先生、麻省光子技術(香港)有限公司行政總裁廖翊韜博士及麻省光子技術(香港)有限公司股東及投資人黃永耀先生的見證下，香港科技園公司署理首席企業發展總監及創科生態業務發展總監柯志成先生與麻省光子技術(香港)有限公司首席營銷官趙春雷先生進行簽署。
在香港特別行政區政府公布的《香港創新科技發展藍圖》，其中一個發展方向為完善創科生態圈，推進香港「新型工業化」，而政府會大力支持先進制造產業，包括半導體產業在港設立或擴展先進制造生產線。孫東教授表示：「香港要因地制宜發展新質生產力，必須發揮好國際化優勢和雄厚科研實力，支持優勢科技產業在港發展，而第三代半導體就是香港近年來重點發展的科技領域。特區政府正以產業導向為原則，積極推進微電子產業發展。香港微電子研發院將于今年內成立，并將設立碳化硅和氮化鎵兩條中試線，協助初創、中小企業進行試產、測試和認證，促進產、學、研在第三代半導體核心技術上的合作。這次麻省光子技術落戶香港確切響應了我們的發展戰略，同時助力香港壯大創科人才庫。」
香港科技園公司行政總裁黃克強先生表示：「科技園公司一直配合政府，全力發展微電子產業。作為香港最大的創科旗艦，我們有蓬勃的微電子生態圈，超過200家園區公司從事微電子。科技園公司提供了一流的基建，加上龐大的合作伙伴網絡，以及在把科研成果商品化方面有豐富的經驗，可以提升香港微電子的研發實力及產業化，助力香港成為國際創新科技中心。麻省光子技術決定落戶科學園及創新園，把其前沿技術及經驗帶來香港，將成為本港微電子產業及新型工業化發展歷程中的一個重要里程碑。」
麻省光子技術(香港)有限公司行政總裁廖翊韜博士表示：「作為首家進駐香港的氮化鎵(GaN)外延技術公司，我們致力在港推動高階第三代半導體晶圓技術的研發和量產，并借助香港的國際化市場地位，積極參與全球半導體競爭。這不僅為提升香港的原創性科技研發水平和新質生產力注入了強大動力，也為香港半導體制造產業鏈提供了最關鍵的上游晶圓量產技術支撐。」
麻省光子技術由致力研發GaN新產品的GaN外延技術專家廖翊韜博士創立，他曾成功把美國高等院校的科研成果轉化及量產半導體組件技術，于GaN外延和深層紫外線LED裝置等領域擁有逾40項專利技術。公司掌握全球領先的第三代半導體核心工藝，其生產的高質量GaN延芯片、裝置以及其他化合物半導體延芯片，大幅降低半導體產業對傳統硅基(Silicon)材料和裝置的原料、關鍵設備的依賴，實現產業鏈的自主可控。
麻省光子技術計劃今年于香港科學園開設全港首家「第三代半導體氮化鎵外延工藝」全球研發中心，開發8吋先進GaN外延片工藝及設備平臺，用于制作氮化鎵光電子和功率器件。此外，更將與香港高等院校和其他合作伙伴，展開前沿第三代GaN研發項目。麻省光子技術亦將在創新園設立全港首條超高真空量產型GaN外延片中試線，進行小批量生產；預計完成中試并啟動香港的GaN外延量產產線建設，帶動創造超過250個微電子相關的就業職位，包括外延片及設備設計、生產流程發展等，創造實質經濟價值。這項突破性技術亦有助加快發展至設廠及量產，將會成為全球領先項目，并帶動香港新型工業化發展扎實落地，邁向嶄新里程。
科技園公司致力推動香港進行新型工業化，并建構了全球領先的微電子生態圈。科學園現有超過14,000名研開發人員、1,800間公司，當中從事與微電子相關業務的公司逾200家。科技園公司亦提供了一流的微電子硬件基礎設施及實驗室，以及將于今年開始投入運作、位于元朗創新園的微電子中心。微電子中心將設有兩條由微電子研發院打造的中試線，為產業鏈上中下游的企業，從設計、原型制作到試產的端到端過程提供全面支持。
現時全港有五間大學全球排名首一百位，逾一百位教授從事微電子方面的研究，每年培育不少人才。隨著麻省光子技術落實落戶科學園，不但帶來資金及領先的技術與經驗，更可以與其他園區公司、學界及業界，產生協同效應，促進香港微電子生態圈的蓬勃發展。
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