天岳先進(jìn)擬募集3億元投資8英寸碳化硅襯底項(xiàng)目

公示信息顯示，本項(xiàng)目為在現(xiàn)有廠區(qū)內(nèi)進(jìn)行改擴(kuò)建，主要從事碳化硅晶片的生產(chǎn)。上海天岳利用“現(xiàn)有廠區(qū)內(nèi)增加生產(chǎn)設(shè)備開(kāi)展8英寸碳化硅晶片生產(chǎn)線建設(shè)，并對(duì)現(xiàn)有6英寸碳化硅晶片部分工藝進(jìn)行改造”。

隨著碳化硅功率半導(dǎo)體在電動(dòng)汽車、光伏、儲(chǔ)能、5G 等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，當(dāng)前以 SiC 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體正在隨著在終端領(lǐng)域的持續(xù)滲透而從導(dǎo)入期過(guò)渡到快速發(fā)展期?；谔蓟璋雽?dǎo)體廣闊的應(yīng)用前景，國(guó)際領(lǐng)先的襯底廠商已經(jīng)開(kāi)始向 8 英寸碳化硅襯底產(chǎn)能建設(shè)布局，國(guó)際一線芯片制造廠商也紛紛計(jì)劃擴(kuò)大 8 英寸碳化硅晶圓制造，以爭(zhēng)奪產(chǎn)業(yè)高地。

行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先公司 Wolfspeed 數(shù)據(jù)顯示，從 6 英寸升級(jí)到 8 英寸，襯底的制備 成本雖然有所增加，但從下游晶圓制造端看，合格芯片產(chǎn)量可以增加 80%-90%；同時(shí) 8 英寸襯底厚度增加有助于在加工時(shí)保持幾何形狀、減少邊緣翹曲度，降低 缺陷密度，從而提升良率，采用 8 英寸襯底可以將單位綜合成本降低 50%，進(jìn)一 步加快碳化硅功率器件在下游領(lǐng)域的滲透應(yīng)用。

原文始發(fā)于微信公眾號(hào)（艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)）：天岳先進(jìn)擬募集3億元投資8英寸碳化硅襯底項(xiàng)目