瞻芯電子的第三代1200V 13.5mΩ?SiC MOSFET，現有3款產品：IV3Q12013T4Z，IV3Q12013BA，IV3Q12013BD，主要用于車載電驅動系統，憑借出色的性能表現，已獲得多家車載電驅動客戶的項目定點。
瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET特性
第三代1200V SiC MOSFET仍為平面柵型MOSFET，相比第二代工藝，元胞的Pitch縮小了超過20%。
而且，第三代產品的導通電阻Rds(on)的溫度系數明顯降低，在高溫運行情況下，導通電阻增加較少。如下圖所示，當Vgs=15V應用時，175°C時的Rds(on)對比25°C時的Rds(on)只有1.42倍；當Vgs=18V應用時，175°C時的Rds(on)對比25°C時的Rds(on)只有1.65倍。
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產品概覽
原文始發于微信公眾號（瞻芯電子）：瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺正式量產
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