會議議程 ▏第三屆功率半導體 IGBT/SiC 產業論壇（蘇州·7月5日）

IGBT 和 MOSFET作為功率半導體器件的兩大主流產品，分別在高耐壓（400V~10數kV）和低壓（200V以下）領域應用占主導地位。目前硅（Si）仍是制作功率器件的主要材料，碳化硅（SiC）以耐高壓、耐高溫、高頻等優勢逐漸滲透多領域，不僅開啟了新的技術疆界，更是在多行業掀起了一場產業變革的浪潮。

但碳化硅器件的廣泛應用受限于其高昂的生產成本，特別是襯底和外延環節，分別占整個器件的47%、23%，合計約占整體成本的70%；與此形成對比的是，硅基器件的后道晶圓制造成本較高，約占50%，襯底成本反而只占7%。因此同一級別下的SiC MOSFET價格是Si基IGBT的四倍，在碳化硅產業鏈中，掌握襯底和外延技術的上游廠商處于關鍵地位。

碳化硅的生產還受限于單晶生長和外延的環境要求和低效的切割拋光工藝，導致國內襯底良率不足50%。從整體生產流程上看，首先由碳化硅粉末通過長晶形成晶錠，然后經過切片、打磨、拋光得到碳化硅襯底，再在襯底上經過外延生長得到外延片，外延片則經過光刻、沉積、離子注入等工藝制成碳化硅晶圓，最后經過劃片、減薄等工藝制成芯片，并封裝得到碳化硅器件。

碳化硅工藝流程

目前碳化硅半導體的市場化進程面臨著三大難題，一是品質，二是良率，三是價格。碳化硅的最大應用市場是電動汽車，而車載碳化硅器件對相應的襯底和外延品質要求更高，目前達標的并不多；良率過低是產業面臨的普遍問題，這也影響了碳化硅的產能提升，無法大規模量產導致價格居高難下，這些問題已成為制約碳化硅發展的關鍵瓶頸。

想要解決這些問題，可以從兩方面入手，一方面擴大碳化硅尺寸來提高產能降低成本，相關數據顯示，碳化硅襯底從6英寸升級到8英寸，合格芯片產量可以增加 80%-90%，可以將單位綜合成本降低50%以上；另一方面則可以改進碳化硅半導體的制備和加工工藝，如在襯底的制備成本中，制造費用占比高達50%，還有較大的下降空間。

往屆功率半導體論壇現場

碳化硅從6英寸擴大到8英寸，產業鏈相關工藝也需要隨之優化，如長晶環節，8英寸與6英寸在籽晶制備與溫場控制等方面有不同需求；切割加工方面，襯底尺寸越大產生的切割應力、翹曲問題越顯著；外延生長也需要相對應的設備等等，正是這些產業化技術難題，讓目前8英寸碳化硅的應用進展并不讓人滿意，創新碳化硅半導體加工技術可謂迫在眉睫。

同時，包括SiC和IGBT的功率半導體器件正朝高功率密度、微型化、高效率、低能耗及高可靠性方向發展。在這一進程中，對芯片和封裝技術不斷提升的要求使得器件的集成度、散熱性能和耐壓能力面臨更高挑戰，推動了行業的新一輪創新。

功率半導體芯片產品差異化來自晶圓制造能力、封裝測試能力及系統理解能力。技術升級使得芯片面積減小、開關損耗降低，但僅有芯片優化是不夠的，高可靠性的封裝技術也是保證芯片全效能發揮的關鍵。功率模塊封裝通常包括將一個或多個功率芯片與陶瓷襯板、引線、端子、絕緣灌封膠和外殼等集成，以提升功率模塊的性能、使用壽命和可靠性。

半導體功率器件設計企業在提升產品性能時，涉及多個領域的交叉知識，包括工藝技術、器件結構設計、仿真、特性分析、封裝測試、材料應用等，這些對于滿足下游應用的性能、成本、可靠性等方面提出了綜合性要求。

為進一步推動功率半導體器件產業的創新發展，推動碳化硅產業的快速健康發展，促進制備與加工技術的創新應用，艾邦智造將于7月5日在蘇州舉辦《第三屆功率半導體IGBT/SiC產業論壇》。論壇將圍繞IGBT、SiC等功率半導體的市場發展趨勢、芯片設計、模塊封裝、材料創新、工藝設備及應用，以及碳化硅加工環節的單晶生長、襯底制備、晶片切磨拋、外延生長、芯片制備等議題展開，誠邀產業鏈合作伙伴共襄盛舉，共同探討碳化硅產業發展所遇到的技術難題以及功率半導體行業發展新策略。

主辦單位：艾邦智造

媒體支持：艾邦半導體網、艾邦陶瓷展、智能汽車俱樂部、鋰電產業通、光伏產業通、艾邦儲能與充電

演講及贊助請聯系張小姐：13418617872 （同微信）

方式1：請加微信并發名片報名

★費用包括會議門票、全套會議資料、午餐、茶歇等，但不包括住宿。

點擊閱讀原文，即可在線報名！

原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：【會議議程】第三屆功率半導體 IGBT/SiC 產業論壇（蘇州·7月5日）