6月11-13日，全球最大的功率半導體展會——PCIM Europe 2024在德國紐倫堡盛大開啟。基本半導體再度亮相展會，并正式發布2000V/1700V系列高壓碳化硅MOSFET、車規級碳化硅MOSFET、第三代碳化硅MOSFET、工業級碳化硅功率模塊PcoreTM2 E2B等系列新品，向世界展示了中國功率器件創“芯”與“智“造的最新成果，吸引了海內外行業人士的駐足參觀與深入交流。
多款新品 熱力來襲！
基本半導體此次發布的新品主要涵蓋分立器件和功率模塊兩大單元，新產品性能大幅提升，產品規格和應用范圍也更加豐富，并在產品封裝上進行了大膽拓新，產品可廣泛應用于新能源汽車、直流快充、光伏儲能、工業電源、通信電源等領域，為行業實現更高能源效率和應用可靠性增添助力。
2000V/1700V高壓碳化硅MOSFET
為滿足光伏儲能領域高電壓、大功率的應用需求，基本半導體基于第二代SiC MOSFET技術平臺開發推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高壓系列碳化硅MOSFET，產品具有低導通電阻、低導通損耗、低開關損耗、支持更高開關頻率運行等特點。
其中，1700V 600mΩ碳化硅MOSFET可適配于組串式光伏逆變器和儲能系統輔助電源的反激開關拓撲中，在提高輔助電源效率的同時，使輔助電源更安全可靠運行。
1200V 18mΩ 碳化硅MOSFET
為滿足電機驅動、儲能系統、大功率充電樁等領域的大功率應用需求，基本半導體研發推出了1200V 18mΩ 碳化硅MOSFET B2M018120Z，產品具有低導通電阻、低導通損耗、低開關損耗、支持更高開關頻率運行等特點，可通過開爾文連接驅動，降低驅動回路的雜散電感。
車規級碳化硅MOSFET
針對新能源汽車的應用需求，基本半導體研發推出符合AEC-Q101認證和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET，可主要應用在車載充電機及汽車空調壓縮機驅動中。
第三代碳化硅MOSFET
B3M040120H/Z是基本半導體基于第三代碳化硅MOSFET技術平臺開發的最新產品，該系列產品進一步優化鈍化層，提升可靠性，相對于上一代產品在比導通電阻、開關損耗以及可靠性方面有更進一步提升。
工業級碳化硅功率模塊PcoreTM2 E2B
MF240R12E2G3是基于PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業級全碳化硅半橋功率模塊，產品采用集成的NTC溫度傳感器、Press-Fit壓接技術以及高封裝可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板，在導通電阻、開關損耗、抗誤導通、抗雙極性退化等方面表現出色。
工業級碳化硅半橋頂部散熱MOSFET模塊
B2M040120T和B2M080120T是基本半導體基于第二代碳化硅MOSFET技術開發的頂部散熱內絕緣的塑封半橋模塊，主要應用于OBC、空調壓縮機和工業電源中。
雙通道隔離驅動芯片BTD25350系列
基本半導體推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅動芯片BTD25350系列，此驅動芯片專為碳化硅MOSFET門極驅動設計，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的誤開通，還可用于驅動MOSFET、IGBT等功率器件。
?PCIM現場直擊?
PCIM Europe 2024 以電力電子、智能運動、可再生能源和能源管理四大主題為核心，涵蓋從半導體、元器件及傳感器，到電機和整流器，再到電源管理系統，模擬和設計軟件的電力電子行業全鏈條，全方位展示電力電子領域的最新技術成果和創新產品。展會有超過600家品牌參展，參觀人次超16000人。
PCIM Europe 2024展會圓滿舉辦，基本半導體再度續寫輝煌，展會現場人流涌動，洽談不斷，戰果喜人。感謝廣大海內外新老客戶對基本半導體的信任與支持，我們將繼續深耕碳化硅功率器件領域，通過不斷的技術創新和產品升級，為全球客戶提供更高性能、更可靠的產品，打造享譽世界的功率半導體品牌，為中國“智”造添磚加瓦！
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基本半導體
深圳基本半導體有限公司是中國第三代半導體創新企業，專業從事碳化硅功率器件的研發與產業化。公司總部位于深圳，在北京、上海、無錫、香港以及日本名古屋設有研發中心和制造基地。公司擁有一支國際化的研發團隊，核心成員包括二十余位來自清華大學、中國科學院、英國劍橋大學、德國亞琛工業大學、瑞士聯邦理工學院等國內外知名高校及研究機構的博士。
基本半導體掌握碳化硅核心技術，研發覆蓋碳化硅功率半導體的材料制備、芯片設計、晶圓制造、封裝測試、驅動應用等產業鏈關鍵環節，擁有知識產權兩百余項，核心產品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級碳化硅功率模塊、功率器件驅動芯片等，性能達到國際先進水平，服務于光伏儲能、電動汽車、軌道交通、工業控制、智能電網等領域的全球數百家客戶。
基本半導體是國家級專精特新“小巨人”企業，承擔了國家工信部、科技部及廣東省、深圳市的數十項研發及產業化項目，與深圳清華大學研究院共建第三代半導體材料與器件研發中心，是國家5G中高頻器件創新中心股東單位之一，獲批中國科協產學研融合技術創新服務體系第三代半導體協同創新中心、廣東省第三代半導體碳化硅功率器件工程技術研究中心。
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