國內(nèi)碳化硅（SiC）長晶爐供應(yīng)商10強(qiáng)

由于碳化硅具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、臨界擊穿場強(qiáng)高、電子飽和漂移速率高等特點(diǎn)，可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的應(yīng)用需求，可廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、工控、射頻通信等領(lǐng)域，隨著相關(guān)行業(yè)快速發(fā)展，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體市場迎來新的機(jī)遇。

長晶是碳化硅襯底生產(chǎn)的核心環(huán)節(jié)，其中核心的設(shè)備是長晶爐。與傳統(tǒng)晶硅級(jí)長晶爐有相同性，爐子結(jié)構(gòu)不是非常復(fù)雜，主要由爐體、加熱系統(tǒng)、線圈傳動(dòng)機(jī)構(gòu)、真空獲得及測量系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、降溫系統(tǒng)、控制系統(tǒng)等組成，其中的熱場和工藝條件決定了碳化硅晶體的質(zhì)量、尺寸、導(dǎo)電性能等關(guān)鍵指標(biāo)。碳化硅長晶技術(shù)：碳化硅SiC襯底生產(chǎn)工藝流程及方法

• 長晶工藝：物理氣相輸運(yùn)法（PVT 法）
• 長晶尺寸：6-8英寸
• 加熱方式：電阻、感應(yīng)
• 客戶：三安光電、天岳先進(jìn)

• 長晶工藝：PVT、TSSG
• 長晶尺寸：6-8英寸導(dǎo)電型/半絕緣型碳化硅襯底
• 加熱方式：感應(yīng)、電阻
• 客戶：上海新昇、金瑞泓、神工股份、三安光電、東尼電子、合晶科技、比亞迪等

• 長晶工藝：PVT 法、液相法
• 長晶尺寸：6-8英寸
• 加熱方法：感應(yīng)

• 長晶工藝：PVT
• 長晶尺寸：6-8
• 加熱方式：感應(yīng)、電阻

• 長晶工藝：PVT
• 加熱方法：感應(yīng)加熱
• 長晶尺寸：6-8英寸

• 長晶技術(shù)：PVT
• 長晶尺寸：6-8英寸
• 加熱方式：電阻爐和感應(yīng)爐

• 加熱方式：電阻法
• 長晶工藝：PVT
• 長晶尺寸：6-8英寸

• 生長工藝：PVT
• 長晶尺寸：4/6/8英寸
• 加熱方式：感應(yīng)、電阻

• 生長工藝：PVT
• 長晶尺寸：6/8英寸
• 加熱方式：電阻

• 生長工藝：PVT
• 長晶尺寸：6/8英寸
• 加熱方式：感應(yīng)

• 生長工藝：PVT
• 長晶尺寸：6英寸導(dǎo)電型碳化硅晶錠
• 加熱方式：感應(yīng)END

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