近日，國內(nèi)又有兩家SiC企業(yè)完成融資。
5月8日，據(jù)“北一半導(dǎo)體官微”消息，北一半導(dǎo)體科技（廣東）有限公司成功完成了B+輪融資，由上海吾同私募基金管理有限公司領(lǐng)投的1億元資金已經(jīng)到位；另有5000萬元投資金額在結(jié)尾工作中，預(yù)計本輪融資總額將達(dá)到1.5億元。
本輪融資資金將主要用于SiC MOSFET技術(shù)的進(jìn)一步研發(fā)，以及產(chǎn)線的升級與擴(kuò)建。
據(jù)悉，北一半導(dǎo)體截至目前共完成3輪融資。去年5月，北一半導(dǎo)體完成了超1.5億元的B輪融資。本輪融資由基石資本領(lǐng)投，同時參與資本方包括聯(lián)通中金、青島玉頡。融資資金將用于以IGBT及SiC為代表的高端功率半導(dǎo)體芯片及模塊產(chǎn)品的開發(fā)。
北一半導(dǎo)體成立于2020年12月，自成立以來，便以推動高端IGBT及SiC模塊國產(chǎn)化進(jìn)程為己任，專注提供可靠、安全、高效的功率模塊產(chǎn)品，已批量應(yīng)用于行業(yè)頭部客戶。
產(chǎn)品方面，繼23年11月北一半導(dǎo)體雙面散熱模塊（DSC）試制成功后，公司750V等級IGBT模塊及1200V等級SiC模塊具備量產(chǎn)能力，封裝良率超過行業(yè)水平。
開發(fā)的SiC模塊采用單面散熱結(jié)構(gòu)，封裝形式涵蓋HPSS1、HPSS2 及HPSS3，IGBT模塊采用雙面散熱結(jié)構(gòu)，封裝形式涵蓋HPDS1、HPDS2 及HPDS3。功率端子位置及定義的差異滿足不同電機(jī)控制器客戶設(shè)計要求，實(shí)現(xiàn)了和國際一線廠商的直接替換。
產(chǎn)能方面，2024年1月，北一半導(dǎo)體總投資20億元的晶圓工廠和總投資2億元分立器件生產(chǎn)加工兩個項目簽約落戶牡丹江穆棱經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)。今年4月，總投資20億元的北一半導(dǎo)體晶圓工廠項目在穆棱功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園正式開工。
據(jù)透露，項目一期占地2.7萬平方米、建筑面積3萬平方米，新上國際先進(jìn)6英寸晶圓生產(chǎn)線，產(chǎn)值超10億元。據(jù)相關(guān)負(fù)責(zé)人介紹，到2025年年底，北一半導(dǎo)體晶圓工廠項目將實(shí)現(xiàn)竣工投產(chǎn)，項目達(dá)產(chǎn)后年可生產(chǎn)6英寸晶圓100萬片。產(chǎn)品應(yīng)用于變頻器、UPS、工業(yè)控制、新能源汽車、充電樁等領(lǐng)域。
此外，功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園分立器件生產(chǎn)加工項目新上分立器件生產(chǎn)線，引進(jìn)塑封機(jī)、測試機(jī)、焊線機(jī)等進(jìn)口設(shè)備，采用世界領(lǐng)先工藝，產(chǎn)品主要為北一半導(dǎo)體自身企業(yè)配套及國內(nèi)市場銷售，應(yīng)用領(lǐng)域為光伏、儲能、新能源汽車、充電樁等。（來源：北一半導(dǎo)體、NE時代半導(dǎo)體）
據(jù)“天眼查”顯示，至信微于4月22日完成了A++輪融資，參與投資的機(jī)構(gòu)包括太和基金、礪明創(chuàng)投、金鼎資本、深智城產(chǎn)投、揚(yáng)子江基金。
今年1月31日，至信微還完成了A+輪融資，由深圳重大產(chǎn)業(yè)投資集團(tuán)（簡稱：深重投）領(lǐng)投、老股東深圳高新投繼續(xù)追加投資。融資資金將用于加速公司產(chǎn)品研發(fā)、團(tuán)隊擴(kuò)建以及市場拓展等。
至信微電子成立于2021年，一直致力于碳化硅功率器件的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主打產(chǎn)品為碳化硅MOSFET及模組等系列產(chǎn)品。
據(jù)了解，至信微團(tuán)隊由來自華潤微、意法半導(dǎo)體等世界知名半導(dǎo)體企業(yè)的資深人士組成，具有強(qiáng)大的產(chǎn)業(yè)資源及行業(yè)背景。公司創(chuàng)始人張愛忠先生是國內(nèi)著名的功率半導(dǎo)體專家，所帶領(lǐng)的團(tuán)隊是國內(nèi)最早開始研究碳化硅設(shè)計與工藝技術(shù)的團(tuán)隊，擁有業(yè)界領(lǐng)先的芯片設(shè)計技術(shù)及完善的工藝技術(shù)。
至信微1200V/7mΩ、750V/5mΩ SiC晶圓正式發(fā)布
因此，作為無晶圓芯片設(shè)計公司，至信微在器件設(shè)計端就充分考慮了在晶圓制造工藝端和封測端將遇到的影響產(chǎn)品良率的因素。迄今為止，至信微自主研發(fā)并與碳化硅MOSFET晶圓廠合作開發(fā)出高可靠性的碳化硅產(chǎn)品。公司1200V系列碳化硅產(chǎn)品參數(shù)V(BR)DSS大于1600V，Vth 大于3.4V，RSP 小于3.6mΩ.cm2，均達(dá)到全球領(lǐng)先水平，并且流片均一次性成功，量產(chǎn)良率業(yè)內(nèi)領(lǐng)先，受到了上游合作伙伴及下游客戶的廣泛好評。
至信微電子不斷追求技術(shù)創(chuàng)新和品質(zhì)卓越，其在過去的10個月里接連發(fā)布了大量新產(chǎn)品，其中包括全球領(lǐng)先主要應(yīng)用于電動汽車主驅(qū)模塊的1200v／16m? ，1200V/7mΩ及750V/5mΩ 碳化硅MOSFET，實(shí)現(xiàn)了技術(shù)和市場上的重大突破。（來源：至信微、太和基金等）
原文始發(fā)于微信公眾號（艾邦半導(dǎo)體網(wǎng)）：超1.5億元！又有兩家SiC企業(yè)完成融資
Chinese 
English