天域半導體：碳化硅半導體領域的領軍者和技術(shù)創(chuàng)新者

天域半導體，成立于2009年，是我國最早實現(xiàn)第三代半導體碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)之一。作為國內(nèi)首家獲得汽車質(zhì)量認證(IATF 16949)的碳化硅半導體材料企業(yè)，天域半導體專注于為客戶提供N型、P型摻雜半導體材料，可制作650V~3300V、3300V~20000V單極和雙極功率器件，涵蓋SBD、MOSFET、IGBT、JBS等產(chǎn)品。

在產(chǎn)能方面，天域外延晶片產(chǎn)能約為40萬片/年。

截至2024年2月3日，天域半導體的"總部及生產(chǎn)制造中心建設項目（第一期）"廠房封頂，將建設年產(chǎn)能約17萬片的6/8英寸SiC外延片生產(chǎn)線，其中6英寸產(chǎn)能占比約90%，8英寸產(chǎn)能占比約10%。項目全部達產(chǎn)后，將搭建100萬片/年的SiC外延片產(chǎn)線。

同時，松山湖廠區(qū)項目將進行第七次改擴建，擴建結(jié)束后，SiC外延片最大年產(chǎn)能將達到33.44萬片；天域半導體的SiC外延片年產(chǎn)能將增至133.44萬片。

天域半導體股東背景雄厚，曾獲得華為哈勃、比亞迪、上汽尚頎等公司的投融資，客戶群包括華為、中國中車、國家電網(wǎng)、比亞迪、香港APS、美國X-FAB、韓國現(xiàn)代等知名企業(yè)，以及數(shù)十家國內(nèi)大學、科研院所和設計公司。該公司在2023年完成了12億元的Pre-IPO輪融資，并于同年6月完成上市輔導，旨在沖刺IPO。

在技術(shù)突破方面，天域半導體實現(xiàn)了4、6英寸4H-SiC外延晶片全系列產(chǎn)品的批量生產(chǎn)，國內(nèi)最早實現(xiàn)6英寸外延晶片量產(chǎn)；提前布局國內(nèi)8英寸SiC外延晶片工藝線的建設，并正積極突破研發(fā)8英寸SiC工藝關鍵技術(shù)；實現(xiàn)20 kV級以上的厚外延生長；掌握緩變結(jié)、陡變結(jié)等n/p型界面控制技術(shù)；并擁有多層連續(xù)外延生長技術(shù)等一系列領先技術(shù)。

天域半導體以其技術(shù)實力、產(chǎn)能擴張和客戶基礎的不斷壯大，為中國碳化硅半導體材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展樹立了典范，展現(xiàn)了強勁的發(fā)展勢頭和潛力。