隨著全球對可持續能源和高效電力解決方案的需求日益增長，功率半導體技術，尤其是IGBT和SiC技術，正處于技術革新和市場擴展的前沿。據小編統計，2024年1月共有40余家企業通過投融資并購、簽署合作訂單、項目簽約及開工投產、發布新品新技術等方式在IGBT/SiC方面持續發力。其中3家企業涉及IGBT、SiC相關業務的投融資收購，14家企業簽署合作訂單、12家企業有項目簽約或開工投產有新進展、6家企業發布推出相關新品。
歡迎加入艾邦IGBT/SiC功率半導體產業鏈交流社群，加強與產業鏈上下游企業交流合作，掃描以下二維碼即可加入產業鏈微信群及通訊錄。
1）索尼銀行投資三菱機電300億日元債券，擴大SiC產能
3）中晟芯泰與江西瑞普簽約，投資10億元合作功率半導體模組制造項目
4）英飛凌與Resonac Corporation、Wolfspeed、SK Siltron CSS、歐姆龍在碳化硅材料/晶圓/儲能應用方面展開合作
5）森未科技與東方自控簽約國產功率器件開發與應用合作
6）意法半導體與致瞻科技合作，SiC賦能新能源汽車空調壓縮機控制器
7）山東粵海金與山東有研半導體合作 SiC 襯底業務
8）利普思高與空客集團合作，氫能飛行器的電驅系統應用高可靠性SiC模塊
9）芯聯集成與蔚來簽訂SiC模塊產品的生產供貨協議
10）Wolfspeed 與一家全球領先的半導體公司擴大 150mm 碳化硅晶圓供應協議
5）安徽豐芯半導體開業，年產5億塊集成電路及模塊封裝項目投產
6）江蘇誠盛科技發布大功率器件項目，年產3.3億只分立器件
7）三星電子與SK海力士主導投資622萬億韓元在韓建半導體產業集群
12）北一半導體總投資22億功率半導體晶圓項目簽約
1）英飛凌推出全新IGBT模塊和SiC MOSFET 半橋和三相橋Easy模塊
3）“SiC晶圓超精密磨削減薄技術及裝備”等兩項科技成果鑒定已成功達到國際先進水平
4）DISCO推出新型自動研磨機，可加工8英寸SiC晶圓
6）愛仕特科技發布新品34mm工業標準封裝碳化硅模塊
1. 索尼銀行投資三菱機電300億日元債券，擴大SiC產能
日本索尼銀行官網宣布已投資三菱電機株式會社發行綠色債券，發行額度為300億日元，年限為5年，發行日為2023年12月18日。據悉此債券募集的資金將用于三菱機電碳化硅功率半導體制造相關的資本投資、研發、投融資。
上海積塔半導體于近日發生工商變更，新增國調二期基金等企業投資入股，注冊資本由101.5億元增至169億元。據創投日報消息，此次國調二期基金等入股的為D輪融資。
推薦閱讀：“101.5億變169億！”國調二期基金入股積塔半導體
深圳至信微電子宣布完成A+輪融資，本輪由深圳重大產業投資集團領投，以及老股東深圳高新投繼續追加投資，以共同推動碳化硅功率器件領域的技術創新和市場拓展，風量資本擔任財務顧問。
平煤神馬集團旗下的中宜創芯與乾晶半導體簽訂戰略合作協議。雙方表示將發揮各自平臺優勢，在推進行業技術創新、高層次人才培養、以及半導體碳化硅材料質量標準建設等方面開展務實合作。
安徽芯塔電子科技有限公司與中科海奧簽署戰略合作協議。雙方本著優勢互補、協同發展的原則，加深在光伏發電、儲能及微電網系統、節能服務等領域的功率器件供應、應用開發、技術創新等多方面合作，共同賦能我國綠色新能源產業高質量發展。
推薦閱讀：芯塔電子再添新戰略合作伙伴！聚焦SiC光儲能領域
3.?中晟芯泰與江西瑞普簽約，合作功率半導體模組制造項目
中晟芯泰航空工業制造集團有限公司與江西瑞普智能科技產業發展有限公司舉辦江西瑞普智能科技產業發展有限公司功率半導體模組制造項目的投資合作簽約儀式，正式達成半導體項目投資合作。項目總投資規模為10億元人民幣，將主要從事IGBT功率半導體模組生產項目。
推薦閱讀：半導體領域新軍投產，10億IGBT模組項目簽約
4.?英飛凌與Resonac Corporation、Wolfspeed、SK Siltron CSS、歐姆龍在碳化硅材料/晶圓/儲能應用方面展開合作
英飛凌宣布與SK Siltron CSS正式達成協議，SK Siltron CSS將為英飛凌提供具有競爭力的高質量150毫米碳化硅晶圓，支持碳化硅半導體的生產。在后續階段，SK Siltron CSS將在協助英飛凌向200毫米晶圓直徑過渡方面發揮重要作用。
1 月 12 日，英飛凌與 Resonac Corporation（前身為 Showa Denko KK）簽署多年期供應與合作協議，補充并擴大2021 年的合作。新合同將深化碳化硅材料的長期合作伙伴關系。初始階段Resonac側重于 6" SiC 材料供應，協議后期將支持英飛凌向 8"?晶圓直徑的過渡。作為合作的一部分，英飛凌將為 Resonac 提供與 SiC 材料技術相關的知識產權。
1月16日，英飛凌與歐姆龍建立合作伙伴關系，通過整合雙方的技術優勢，利用英飛凌的CoolGaN?技術結合歐姆龍獨特的電路拓撲和控制技術，在日本市場推出了體積最小、重量最輕的V2X充電系統——KPEP-A系列。
1月23日，Wolfspeed宣布與英飛凌與擴大并延伸現有的長期 150mm 碳化硅晶圓供應協議（原先的協議簽定于 2018 年 2 月）。后續合作將包括一個多年期產能預留協議，這將有助于保證英飛凌整個供應鏈的穩定，同時滿足汽車、太陽能、電動汽車充電應用、儲能系統等領域對于碳化硅半導體不斷增長的需求。
推薦閱讀：英飛凌碳化硅戰略：擴大供應鏈、多方合作、產能升級
1月25日，英飛凌宣布與盛弘電氣達成合作，將為盛弘電氣提供的1200V CoolSiC MOSFET功率半導體器件，配合EiceDRIVER??緊湊型1200V單通道隔離柵極驅動IC，?進一步提升盛弘儲能變流器的效率。
5.?森未科技與東方自控簽約國產功率器件開發與應用合作
成都森未科技有限公司與東方電氣自動控制工程有限公司舉行國產功率器件開發與應用合作簽約儀式。根據協議，雙方將充分發揮各自優勢，進一步深化在國產功率器件開發與應用領域的合作。此次合作協議的簽訂，標志著雙方將建立全面、長期、深層次的合作伙伴關系，將攜手并進，共同構建國產IGBT功率半導體行業發展新藍圖。
6.?意法半導體與致瞻科技合作，SiC賦能新能源汽車空調壓縮機控制器
意法半導體宣布與致瞻科技合作，為致瞻科技電動汽車車載空調中的壓縮機控制器提供意法半導體第三代SiC MOSFET技術。采用高能效的控制器可為新能源汽車帶來諸多益處，以動力電池容量60kWh~90kWh的中型電動汽車為例，續航里程可延長5到10公里，在夏冬兩季的效果尤為明顯。
7.?山東粵海金與山東有研半導體合作 SiC 襯底業務
山東有研硅半導體與山東粵海金于正式簽署了《碳化硅襯底片業務合作協議》，該協議旨在充分發揮雙方各自優勢，創新業務合作模式，共同拓展碳化硅襯底片市場與客戶。山東粵海金將發揮其在碳化硅襯底片制造與供應方面的良好基礎，山東有研半導體則將運用其現有市場渠道與行業影響力優勢，共同應對市場挑戰，開拓碳化硅襯底片市場。
推薦閱讀：山東粵海金 SiC 襯底再進展：牽手山東有研半導體共合作
8.?利普思高與空客集團合作，氫能飛行器的電驅系統應用高可靠性SiC模塊
利普思宣布其ED3H系列高可靠性SiC模塊將通過空客集團電驅供應商獲得其采用，用于氫能飛行器的電驅系統，作為空客集團未來零排放商業飛行器方案的器件方案之一。該模塊專為商用汽車和飛行器領域開發，采用半橋拓撲，具有1200V耐壓、800A電流、環氧樹脂灌封、Si3N4 AMB基板、銀燒結、車規品質等特點。
1月
9.?芯聯集成與蔚來簽訂SiC模塊產品的生產供貨協議
芯聯集成宣布與蔚來簽署了碳化硅模塊產品的生產供貨協議。按照雙方協議簽署，芯聯集成將成為蔚來首款自研1200V碳化硅模塊的生產供應商，助力蔚來900V高壓純電平臺。蔚來將在全國范圍鋪設換電站，及全面升級1200V碳化硅功率模塊，以滿足車主的超充快換需求，進而解決新能源汽車車主的里程焦慮和充電焦慮。
推薦閱讀：芯聯集成與蔚來簽訂SiC模塊產品的生產供貨協議
10.?Wolfspeed 與一家全球領先的半導體公司擴大 150mm 碳化硅晶圓供應協議
wolfspeed宣布擴大與一家全球領先半導體公司現有的長期碳化硅晶圓供應協議。擴大后的協議目前總價值約為 2.75 億美元， Wolfspeed 將向該公司提供150mm碳化硅裸片和外延晶圓，從而強化了兩家公司在全行業范圍內從硅半導體功率器件過渡到碳化硅半導體功率器件的愿景。
山西爍科晶體有限公司表示中國電科（山西）碳化硅材料產業基地（二期）項目已具備設備進廠條件，預計3月可投入試生產，投產后產值可達30萬片SiC襯底。該項目投資5億元，主要建設包括單晶生產車間、動力配套等。
據“青橙融媒”消息，合盛硅業旗下的“年產800噸電子級碳化硅顆粒材料及60萬片碳化硅切割片項目”預計今年3月初試生產，項目總投資20億元。該項目系內蒙古賽盛新材料有限公司于2023年9月引進呼和浩特金山高新區，11月10日在當地發改委備案并辦結。
推薦閱讀：25億元！山西爍科、合盛硅業等碳化硅項目進展
3.?連城數控擬投資10.5億元建設SiC生產基地
連城數控全資子公司連科半導體有限公司（以下簡稱“連科半導體”）與錫山區政府就“連科第三代半導體設備研發制造及總部基地項目”在無錫市舉行簽約儀式。項目總投資10.5億元，規劃用地100畝，建設半導體大硅片長晶和加工設備、碳化硅長晶和加工設備的研發和生產制造基地。
推薦閱讀：10.5億元！連城數控將建設SiC長晶基地
浙江博藍特半導體科技股份有限公司與江蘇省丹陽市延陵鎮就第三代半導體碳化硅襯底項目落地延陵鎮進行了深度洽談，博藍特實地考察了延陵鎮鳳凰工業園區的2宗地塊，計劃在延陵鎮投資10億元建設年產25萬片的6-8英寸碳化硅襯底，該項目建成后預計可實現年銷售收入15億元。
5.?安徽豐芯半導體開業，年產5億塊集成電路及模塊封裝項目投產
安徽豐芯半導體有限公司在池州舉行開業典禮，標志其年產5億塊集成電路及模塊封裝項目正式投產。項目投資額1億元，專注生產高精度的集成電路封裝，全面量產后將形成年產5億塊集成電路及模塊封裝的產能，預計每年營收規模達2億元以上。
推薦閱讀：半導體領域新軍投產，10億IGBT模組項目簽約
6.?江蘇誠盛科技發布大功率器件項目，年產3.3億只分立器件
江蘇誠盛科技麒思大功率器件項目發布會在江蘇揚州高郵成功舉辦。項目計劃總投資9億元，主要生產大功率器件、SiC、IGBT模塊封測等產品。項目分兩期實施，一期投入4.8 億元，預計將于今年8月量產，可年產分立器件3.3億只、模塊120萬只。
1.?三星電子與SK海力士主導投資622萬億韓元在韓建半導體產業集群
據韓國產業部聲明，韓國計劃要在首爾附近建設世界上最大的半導體產業集群，該計劃將由三星電子和SK海力士主導，預計到2047年將投資總計622萬億韓元（4730億美元），建立16座芯片工廠。
三星電子計劃為該項目投資500萬億韓元，其中包括投資360萬億韓元在首爾以南33公里的龍仁新建6家晶圓廠；投資120萬億韓元在首爾以南54公里的平澤新建3家晶圓廠；投資20萬億韓元在器興新建3家研究設施。SK海力士將投入122萬億韓元，在龍仁新建4家晶圓廠。該產業集群將占地2100萬平方米，到2030年，該地區的晶圓月產能將達到770萬片。
熾芯微電子科技（蘇州）有限公司舉行隆重開業儀式，正式入駐恒泰智造·蘇州納米城五區。熾芯微電成立于2023年5月18日，是一家專注于碳化硅塑封功率模塊封測的研發、生產制造企業，致力于研發并生產具備全自主知識產權的碳化硅塑封功率模塊封測技術。
銳盈芯總部及產業化項目順利摘地。該項目選址青山湖科技城橫畈片區，總投資50.18億元，擬用地118畝，建筑面積約20萬平方米，容積率不小于2.5。項目計劃建設上市公司總部，包括第三代半導體研究院、第三代半導體器件及模組設計公司、先進封裝產線、功率封裝產線、晶圓測試產線、模塊模組制造產線及動力配套等。項目建成后，預計滿產后年產值25億元。
據比地招標網消息，南砂晶圓100%控股子公司中晶芯源的8英寸碳化硅單晶和襯底產業化項目正式備案。該項目于2023年6月12日落地山東濟南，技術團隊主要核心力量為山東大學老師，計劃在2025年滿產達產，屆時預計產值可達50億元以上。
昕感科技6-8吋功率半導體制造項目封頂活動在江蘇江陰高新區隆重舉行。該項目于2023年8月8日啟動，總計投資超10億元，一期建設廠房6 & 8吋兼容，總建筑面積超4.5萬平，核心生產無塵室面積達1萬平，包括主FAB廠房（分二期建設完成），以及CUB動力站、甲/乙類庫、供氫站等配套設施。屆時將引進I-line光刻機、刻蝕機臺、UV貼膜機、氧化爐、高溫注入機等各類生產設備，全力打造國內專業功率半導體生產的制造基地。至此，昕感科技成為國內極少數能夠兼容6-8吋晶圓特色工藝生產的廠商。
12.?北一半導體總投資22億功率半導體晶圓項目簽約
北一半導體科技有限公司總投資20億元的晶圓工廠和總投資2億元分立器件生產加工兩個項目簽約落戶牡丹江穆棱經濟開發區。國外先進6英寸和8英寸晶圓生產線各一條，產品應用于變頻器、UPS、工業控制、新能源汽車、充電樁等領域。全部達產后，年產6英寸晶圓100萬片，年產值達30億元。
1.?英飛凌推出全新IGBT模塊和SiC MOSFET 半橋和三相橋Easy模塊
英飛凌推出1200V CoolSiC? MOSFET半橋和三相橋Easy模塊，可應用于電機控制和驅動、伺服電機驅動和控制、電動汽車充電等領域。這些模塊采用PressFIT壓接技術并帶NTC溫度檢測，還提供預涂熱界面材料和AlN/Al2O3基板等不同型號。
1月5日，英飛凌宣布推出4.5kV XHP? 3 IGBT模塊，用于改變目前采用兩電平和三電平拓撲結構、使用2000V至3300V交流電壓的中壓變頻器（MVD）與交通運輸的應用市場。這款新半導體器件將給諸多應用帶來裨益，包括大型傳送帶、泵、高速列車、機車以及商用、工程和農用車輛（CAV）。
XHP??3?IGBT
2.?三菱電機發布J3系列SiC和Si功率模塊樣品
三菱電機集團宣布將推出六款用于各種電動汽車（xEV）的新型J3系列功率半導體模塊，這些模塊采用碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 （SiC-MOSFET） 或 RC-IGBT （Si）*1，具有緊湊的設計和可擴展性，可用于電動汽車 （EV） 和插電式混合動力汽車 （PHEV） 的逆變器。所有六款J3系列產品將于3月25日起提供樣品。
J3-HEXA-L
3.?“SiC晶圓超精密磨削減薄技術及裝備”等兩項科技成果鑒定已成功達到國際先進水平
由湖南大學、湖南大學無錫半導體先進制造創新中心和江蘇優普納科技有限公司等單位共同完成的“SiC晶圓超精密磨削減薄技術及裝備”等兩項科技成果鑒定會在湖南大學無錫半導體先進制造創新中心召開。鑒定委員會一致認為項目成果達到國際先進水平，部分指標國家領先，建議進一步擴大市場應用。
4.?DISCO推出新型自動研磨機，可加工8英寸SiC晶圓
迪斯科中國發布針對Si以及SiC等8英寸以下晶圓開發的雙主軸全自動研磨機「DFG8541」，與DFG8540相比，可實現更為穩定的高產能減薄加工，且進一步完善了清洗結構，提高了維護保養便捷性，降低了壓縮空氣使用量，減少了占地面積。
深華穎半導體宣布HPD封裝1200V 400-1000A SiC模塊批量出貨，該SYSM3F02R12HPD碳化硅模塊采用HybridPACK? Drive封裝。HPD車驅模塊是汽車中使用的電驅模塊，主要由功率SIC 模塊、半導體器件和控制器組成。
6.?愛仕特科技發布新品34mm工業標準封裝碳化硅模塊
深圳愛仕特科技有限公司?(以下簡稱“愛仕特”)發布新增一款34mm工業標準封裝碳化硅模塊，采用了全焊片工藝以及自建不同熔點焊片體系，具有高過載和高耐溫循環能力及更多靈活性和可靠性，主要應用于工業焊機、電機傳動、UPS電源、高頻開關、大功率變流器等工業領域。
了解更多功率半導體企業資訊，加強與產業鏈上下游企業交流合作，歡迎加入艾邦的碳化硅半導體產業鏈交流社群，掃描以下二維碼即可加入產業鏈微信群及通訊錄。
長按識別二維碼關注公眾號，點擊下方菜單欄左側“微信群”，申請加入群聊
| 序號 |
???擬定議題 |
擬邀請 |
| 1 |
功率半導體行業的全球化趨勢與本土化策略 |
賽米控丹佛斯 |
| 2 |
碳化硅（SiC）在電動汽車中的應用與前景 |
翠展微 |
| 3 |
SiC芯片封裝技術與新能源汽車系統集成 |
揚杰電子 |
| 4 |
高性能塑料封裝材料的熱穩定性研究 |
可樂麗 |
| 5 |
面向未來的功率半導體材料研究 |
擬邀請半導體材料企業 |
| 6 |
第三代半導體材料的研發趨勢與挑戰 |
擬邀請寬禁帶半導體材料供應商 |
| 7 |
功率模塊的設計創新及應用 |
擬邀請功率模塊封裝企業 |
| 8 |
碳化硅單晶生長技術的淺析與展望 |
擬邀請SiC供應商 |
| 9 |
大尺寸晶圓精密研磨拋光技術難點突破 |
擬邀請碳化硅研磨拋光企業 |
| 10 |
國內高端芯片設計與先進制程技術新進展 |
擬邀請芯片技術專家 |
| 11 |
高溫SOI技術與寬禁帶材料結合的前景 |
擬邀請芯片技術專家 |
| 12 |
燒結工藝的自動化與智能化 |
擬邀請燒結設備企業 |
| 13 |
功率模塊封裝過程中的清洗技術 |
擬邀請清洗材料/設備企業 |
| 14 |
高可靠功率半導體封裝陶瓷襯板技術 |
擬邀請陶瓷襯板企業 |
| 15 |
超聲波焊接技術在功率模塊封裝的應用優勢 |
擬邀請超聲波焊接企業 |
| 16 |
IGBT/SiC封裝的散熱解決方案與系統設計 |
擬邀請散熱基板企業 |
| 17 |
全自動化模塊封裝測試智能工廠 |
擬邀請自動化企業 |
| 18 |
新一代功率半導體器件的可靠性挑戰 |
擬邀請測試技術專家 |
| 19 |
功率半導體器件在高溫高壓環境下的性能與適應性 |
擬邀請檢測設備企業 |
| 20 |
新能源領域對功率器件的挑戰及應對解決方案 |
擬邀請光伏功率器件專家 |
更多相關議題征集中，演講及贊助請聯系張小姐：13418617872 （同微信）
方式1：請加微信并發名片報名
演講或贊助聯系 Elaine?張:134?1861?7872(同微信）
或者復制網址到瀏覽器后，微信注冊報名:https://www.aibang360.com/m/100190?ref=460932
|
付款時間
|
1~2個人(單價每人)
|
3個人及以上(單價）
|
|
4月30日前
|
2600/人
|
2500/人
|
|
6月3日前
|
2700/人
|
2600/人
|
|
7月3日前
|
2800/人
|
2700/人
|
|
現場付款
|
3000/人
|
2800/人
|
★費用包括會議門票、全套會議資料、午餐、茶歇等，但不包括住宿。
可通過艾邦預訂會議酒店，協議價500元/間/晚，標間或大床可選。
原文始發于微信公眾號（艾邦半導體網）：創新驅動力：202401期IGBT/SiC功率半導體行業進展速覽
Chinese 
English