隨著全球科技的飛速發展,半導體作為現代電子工業的核心,其重要性日益凸顯。在這樣的時代背景下,SOI、MEMS等產品對拋光片平坦度的品質要求越來越高,芯諾也經過不懈的努力和探索,終于迎來了一次具有里程碑意義的新產品發布:4英寸超高平坦度拋光晶圓開發成功!!!在這個技術和質量取勝的時代,行業內的常規水準在TTV≤3μm,而我們的新產品則是提高到了TTV≤1μm,這不僅標志著我們在科技創新道路上又邁出了堅實的一步,更是對國內半導體事業發展做出的積極貢獻。
我們的新產品,基于先進的半導體技術,經過精心的設計和嚴格的測試,確保了其性能的穩定與卓越。值得一提的是,我們在產品研發過程中,不僅改進了工藝技術,降低了生產成本,大幅度提高了客戶與我們的產品質量與良率。我們的這一舉措,不僅增強了公司在半導體領域的競爭力,大力提升了硅晶圓片的國產化比例,也為國內半導體產業鏈的完善注入了新的活力。
隨著超大規模集成電路制程能力的快速發展,線寬尺寸進一步降低,對拋光片的表面平坦度的要求也越來越高,原有制備工藝已不滿足生產需求。常規的半導體大硅片拋光工藝包括有蠟拋光和無蠟拋光兩種,因有蠟拋光能獲得平整度更優的拋光面,其逐漸成為主流的拋光技術。在有蠟拋光過程中主要影響被拋硅片幾何參數的過程分為兩個過程,其一為貼片過程,該過程包括在待拋硅片背面均勻涂敷一層拋光蠟,并將背面涂覆拋光蠟的待拋硅片貼敷在高溫陶瓷盤上的步驟,主要涉及蠟膜厚度、陶瓷盤平整度等參數;其二為拋光過程,該過程包括采用粗拋、中拋和/或精拋工藝去除硅片表面損傷與變形層的步驟,主要涉及拋光壓力、轉速、拋光時間等參數。其中,拋光墊又可分為粗拋墊、中拋墊和精拋墊,拋光液對應可分為粗拋液、中拋液和精拋液。在拋光過程中,通常粗拋墊配合粗拋液使用,中拋墊配合中拋液使用,精拋墊配合精拋液使用,一個參數的簡單改變均會得出波動較大的結果,特別是拋光墊和拋光液的組合選擇,均需通過大量的實驗驗證才能得到最優的工藝結果。
此次新產品的推出,不僅是我們技術實力的體現,更是我們對國產半導體事業堅定支持的體現。我們始終保持著謙遜和敬畏的態度,專注于技術的提升和產品的優化。回望過去,我們深感半導體事業的每一步發展都離不開國家的支持和行業的共同努力。作為半導體行業的一份子,我們深知肩上的責任重大。展望未來,我們將繼續深耕半導體領域,不斷加大研發投入,加快科技成果轉化。我們相信,通過我們的不懈努力和行業的共同進步,一定能夠為中國半導體事業的發展添磚加瓦,為實現科技強國的夢想貢獻我們的力量。
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