【邀請函】碳化硅半導體加工技術創新產業論壇（蘇州·7月4）

作為第三代半導體芯片的典型代表，碳化硅（SiC）擁有比硅更優秀的半導體性能，包括耐高壓能力、耐高溫能力、耐輻射能力以及更強的高頻能力、更低的電子轉換損耗等，被廣泛應用于新能源汽車、光伏儲能、軌道交通、航空航天、5G通訊等前沿科技領域，不僅開啟了新的技術疆界，更是在多行業掀起了一場產業變革的浪潮。

從碳化硅工藝流程上看，首先由碳化硅粉末通過長晶形成晶錠，然后經過切片、打磨、拋光得到碳化硅襯底，再在襯底上經過外延生長得到外延片，外延片則經過光刻、沉積、離子注入等工藝制成碳化硅晶圓，最后經過劃片、減薄等工藝制成芯片，并封裝得到碳化硅器件。

碳化硅工藝流程

目前碳化硅半導體的市場化進程面臨著三大難題，一是品質，二是良率，三是價格。碳化硅的最大應用市場是電動汽車，而車載碳化硅器件對相應的襯底和外延品質要求更高，目前達標的并不多；良率過低是產業面臨的普遍問題，這也影響了碳化硅的產能提升，無法大規模量產導致價格居高難下，這些問題已成為制約碳化硅發展的關鍵瓶頸。

想要解決這些問題，可以從兩方面入手，一方面擴大碳化硅尺寸來提高產能降低成本，相關數據顯示，碳化硅襯底從6英寸升級到8英寸，合格芯片產量可以增加 80%-90%，可以將單位綜合成本降低50%以上；另一方面則可以改進碳化硅半導體的制備和加工工藝，如在襯底的制備成本中，制造費用占比高達50%，還有較大的下降空間。

如今國內外廠商都在加快布局8英寸碳化硅，Wolfspeed在去年、今年相繼啟動兩座8英寸碳化硅工廠；意法半導體此前就與Soitec合作來量產8英寸SiC襯底；羅姆此前表示在2023年開始量產8英寸碳化硅襯底；英飛凌也計劃在2023年開始量產8英寸襯底；國內天岳先進、天科合達簽約英飛凌，未來將供應8英寸碳化硅襯底；三安光電聯合意法半導體，將投入70億元建設年產48萬片的8英寸碳化硅襯底；中電化合物也宣布與韓國Power Master簽訂了長期供應8英寸在內的碳化硅材料的協議，種種數據顯示，今年8英寸碳化硅襯底已走上了量產階段。

往屆碳化硅論壇現場

碳化硅從6英寸擴大到8英寸，產業鏈相關工藝也需要隨之優化，如長晶環節，8英寸與6英寸在籽晶制備與溫場控制等方面有不同需求；切割加工方面，襯底尺寸越大產生的切割應力、翹曲問題越顯著；外延生長也需要相對應的設備等等，正是這些產業化技術難題，讓目前8英寸碳化硅的應用進展并不讓人滿意，創新碳化硅半導體加工技術可謂迫在眉睫。

為推動碳化硅產業的快速健康發展，促進制備與加工技術的創新應用，艾邦智造將于2024年7月4日在蘇州日航酒店舉辦《碳化硅半導體加工技術創新產業論壇》，本次會議將圍繞碳化硅的單晶生長、襯底制備的切磨拋、外延的生長以及晶圓芯片的制備等工藝流程展開，誠摯邀請產業鏈上下游朋友一起交流，共同探討如何解決碳化硅產業發展所遇到的技術難題。

主辦單位：艾邦智造

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• 高純碳粉、硅粉、碳化硅粉末、坩堝、籽晶等材料企業；

• 晶錠、襯底、外延、晶圓等產品企業；

• 碳化硅晶體、外延生長等設備企業；

• 金剛石線切割、砂漿線切割、激光切割等切割設備企業；

• 碳化硅磨削、研磨、拋光和清洗及耗材等企業；

• 檢測、退火、減薄、沉積、離子注入等其他設備企業；

• 高校、科研院所、行業機構等；

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