三安光電碳化硅新進展：8英寸襯底準量產(chǎn)、車規(guī)MOS驗證提速

上海證券報報道，三安光電10月23日宣布，旗下湖南三安在碳化硅產(chǎn)品上取得階段性進展，實現(xiàn)8英寸襯底準量產(chǎn)，部分產(chǎn)品已進入主流新能源汽車企業(yè)供應(yīng)鏈。

三安光電介紹，在大尺寸碳化硅襯底方面，湖南三安8英寸碳化硅襯底已完成開發(fā)，依托精準熱場控制的自主PVT工藝，實現(xiàn)了更低成本及更低缺陷密度，產(chǎn)品進入小批量生產(chǎn)及送樣階段，后續(xù)公司將繼續(xù)注重良率提升，加快設(shè)備調(diào)試與工藝優(yōu)化，并持續(xù)推進湖南與重慶工廠量產(chǎn)進程。

碳化硅MOSFET方面，該公司推出650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET產(chǎn)品，具有高性能、高一致性和高可靠性等優(yōu)點。其中，1700V/1000mΩ MOSFET主要使用在光伏逆變器的輔助電源，1200V/75mΩ MOSFET主要應(yīng)用于新能源汽車的OBC，兩款產(chǎn)品均已處于客戶端導(dǎo)入階段，將逐步批量供貨；1200V /16mΩ車規(guī)級芯片已在戰(zhàn)略客戶處進行模塊驗證。

此外，湖南三安與意法半導(dǎo)體在重慶設(shè)立三安意法半導(dǎo)體（重慶）有限公司，專門生產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓，該項目前期相關(guān)審批事項已成功獲批，各項工作有序推進，預(yù)計2025年完成階段性建設(shè)并投產(chǎn)，2028年實現(xiàn)達產(chǎn)。

資料來源于：集微網(wǎng)