高意開發(fā)了一種獨(dú)特的材料技術(shù)(3DSiC?)，可以充分利用碳化硅(SiC)的潛力，以最小的損耗處理非常高的功率，同時(shí)保持與硅器件相同水平的可靠性。埋入的摻雜柵可維持高電壓，并降低器件敏感表面的電場(chǎng)。與傳統(tǒng)的解決方案相比，我們的3DSiC?技術(shù)可以降低30%的損耗。這得益于較低的肖特基勢(shì)壘、較高的MOSFET遷移率、高效的集成和較少的降級(jí)需求以維持可靠性要求。

不同類型功率半導(dǎo)體的性能比較

與傳統(tǒng)的SiC器件相比，3DSiC?技術(shù)為功率二極管和開關(guān)帶來了競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

堅(jiān)固性和性能——卓越的器件性能特性，如低閾值電壓、浪涌電流和雪崩能力。

低單位成本——降低功耗可使電流密度提高30%，芯片尺寸也相應(yīng)縮小。

簡(jiǎn)化生產(chǎn)——制造工藝可用于600?V至+10?kV的寬電壓范圍，并跨越不同的SiC器件類型，從而實(shí)現(xiàn)高效生產(chǎn)和定制化器件規(guī)格。

3DSiC?技術(shù)采用埋入式摻雜網(wǎng)格，保護(hù)芯片敏感表面免受高電場(chǎng)的影響。

3DSiC?技術(shù)實(shí)現(xiàn)了模塊化設(shè)計(jì)。每個(gè)器件被分為與所需電壓等級(jí)相關(guān)的高壓部分和用于每種類型元件的低壓部分。它允許各種組合，以實(shí)現(xiàn)廣泛的產(chǎn)品?？s短了開發(fā)時(shí)間，簡(jiǎn)化了鑒定過程，并可簡(jiǎn)化生產(chǎn)。

高意提供先進(jìn)的碳化硅(SiC)外延材料和定制的特定器件芯片開發(fā)和制造，從原型設(shè)計(jì)到批量生產(chǎn)。

SiC外延材料

高意生產(chǎn)的SiC外延片最大尺寸為150毫米，具有一流的均勻性。提供完整的SiC材料解決方案，規(guī)格靈活。

厚外延層有或沒有緩沖劑，低摻雜層達(dá)250微米

多層結(jié)構(gòu)不同的摻雜水平，包括pn結(jié)

工藝外延嵌入式和埋藏式結(jié)構(gòu)，接觸層

N型碳化硅

導(dǎo)電?SiC?襯底結(jié)合了低電阻率、低缺陷密度、高均勻性、卓越的晶體質(zhì)量和高導(dǎo)熱性，使器件具有低功耗、高頻工作和良好的熱穩(wěn)定性。

用于電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車以及航空航天應(yīng)用的高溫、高頻電力電子器件的?MOSFET、IGBT?和其他組件。

https://www.coherent.com/content/dam/coherent/site/en/resources/datasheet/materials/sic-epitaxy-wafer-ds.pdf

半絕緣碳化硅

利用我們的高質(zhì)量半絕緣?SiC?基板擴(kuò)大?GaN-on-SiC?射頻功率放大器以及其他射頻和微波器件的生產(chǎn)。

相干公司率先開發(fā)了大直徑、半絕緣?SiC?基板，并提供高電阻率材料，以實(shí)現(xiàn)低功耗、高頻工作和良好熱穩(wěn)定性的組件制造。

https://www.coherent.com/content/dam/coherent/site/en/resources/datasheet/materials/sic-substrates-ds.pdf

資料來源官網(wǎng)

碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈很長，為了促進(jìn)行業(yè)交流和發(fā)展，艾邦新建碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈微信群，歡迎碳化硅前道材料與加工設(shè)備，后道器件生產(chǎn)和模塊封裝的行業(yè)朋友一起加入討論。識(shí)別下方二維碼，關(guān)注公眾號(hào)，通過底部菜單申請(qǐng)加入碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈微信群。