納微半導體發布全球首份 GaN 可持續發展報告

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2月10日，氮化鎵 (GaN) 功率 IC 的行業領導者納微半導體（Navitas）發布了其第一份年度可持續發展報告。2021 年可持續發展報告不僅詳細說明了企業減少自身溫室氣體排放的目標和進展，還重點介紹了其GaN 技術如何通過減少 Navitas 客戶的二氧化碳排放量，并加速從化石燃料到可再生能源和電力的應用的發展來支持全球碳排放凈零目標。

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每個出貨的清潔、綠色 GaN 功率 IC 可減少 4 kg CO2。GaN 可減少高達 2.6 噸/年CO2 的排放量- 相當于 650 個燃煤發電站的排放量

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Navitas 是第一家發布可持續發展報告的公司，該報告根據全球標準全面量化了 GaN 功率半導體對氣候變化的積極影響。該報告包括根據評估產品生命周期內環境影響的國際標準 ISO14040 / 14044 對 GaN 技術進行的第三方生命周期評估 (LCA)，從原材料采購到生產、使用、報廢處理、回收和最終處置。Navitas 報告還通過第三方評估量化了企業溫室氣體 (GHG) 的影響。

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金屬鎵是冶煉鋁時的副產品，而氮在我們的大氣中很容易獲得，因此 GaN 具有最小的材料來源 CO2 足跡，易于采購且成本低。GaN 也是無毒且無沖突礦物問題的。雖然 GaN 是一種先進的"寬帶隙"半導體材料，但 GaN 功率 IC 器件可以使用成熟且可用的 CMOS 加工設備 (350nm) 制造。因此，與傳統的硅功率器件相比，GaN 器件生產對于給定的設備組產生產量提高了 3-5 倍。

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作為下一代功率半導體，GaN 的運行速度比傳統硅快 20 倍，在尺寸和重量減半的情況下，功率提高 3 倍，充電速度提高 3 倍。Navitas 的 GaNFast ? 功率 IC 集成了 GaN 功率和驅動以及保護和控制，以提供簡單、小型、快速和高效的性能。由于先進的材料性能和 Navitas 專有的 AllGaN 工藝設計套件，GaN 功率 IC 比硅芯片小得多，并且制造和運輸的二氧化碳排放量降低了 4~10 倍。

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與硅系統相比，使用 GaN 功率 IC 的高效、高速應用更小、更輕、使用更少的材料和更少的能源。例如，使用 GaN 的 65W 筆記本電腦適配器的占位面積減少高達 30%，每個出貨的 GaN IC 可減少超過 4 公斤的二氧化碳排放量。在數據中心，GaN 有可能通過提高效率每年減少超過 1000 萬噸的二氧化碳排放量。

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當考慮將 GaN 用于車載充電器、DC-DC 轉換器和牽引驅動等 EV 應用時，據估計，從硅到氮化鎵可以將全球從內燃機到電動汽車的過渡加快3年，并將道路部門的總排放量每年減少20%。該報告還解釋了GaN IC如何降低太陽能應用中每瓦能量轉換和存儲的成本，以支持降低高達 25%——縮短投資回報期并加速采用。

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Navitas 首席執行官兼聯合創始人 Gene Sheridan 表示："我們的使命是成為下一代功率半導體的領導者，并在我們與其他人合作以'使我們的世界電氣化'的同時，為減少化石燃料排放做出貢獻。我們為移動、消費、工業、計算、通信和運輸等各個主要細分市場的電力和減排做出貢獻，并努力成為提高電氣化和能源效率的關鍵推動者，以實現《巴黎協定》中強調的凈零排放目標。"