?對(duì)比看出，S1M014120H可以在更大的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍內(nèi)工作，以適應(yīng)不同驅(qū)動(dòng)電路的開(kāi)發(fā)需求。其最高允許工作結(jié)溫為175℃，進(jìn)一步提升器件的載流能力，有助于實(shí)現(xiàn)更高的功率密度，其靜態(tài)參數(shù)達(dá)到國(guó)際一流水平。
?同時(shí)，清純半導(dǎo)體與國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的功率模塊供應(yīng)商緊密合作，根據(jù)新能源汽車電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的具體需求(1200V/800A)，對(duì)采用S1M014120H和國(guó)際主流廠家同規(guī)格SiC芯片制造的多芯片并聯(lián)功率模塊在常溫及高溫的開(kāi)關(guān)性能做了詳細(xì)表征，采用S1M014120H制造的模塊的常溫和高溫情況下關(guān)斷和導(dǎo)通特性如下圖所示：
原文始發(fā)于微信公眾號(hào)（清純半導(dǎo)體）：國(guó)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET通過(guò)車企和Tier1廠商測(cè)試
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