由于碳化硅具有禁帶寬度大、熱導率高、臨界擊穿場強高、電子飽和漂移速率高等特點,可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的應用需求,可廣泛應用于新能源汽車、光伏、工控、射頻通信等領域,隨著相關行業快速發展,以碳化硅為代表的第三代半導體市場迎來新的機遇。
長晶是碳化硅襯底生產的核心環節,其中核心的設備是長晶爐。與傳統晶硅級長晶爐有相同性,爐子結構不是非常復雜,主要由爐體、加熱系統、線圈傳動機構、真空獲得及測量系統、氣路系統、降溫系統、控制系統等組成,其中的熱場和工藝條件決定了碳化硅晶體的質量、尺寸、導電性能等關鍵指標。碳化硅長晶技術:碳化硅SiC襯底生產工藝流程及方法
-
長晶工藝:物理氣相輸運法(PVT 法) -
長晶尺寸:6-8英寸 -
加熱方式:電阻、感應 -
客戶:三安光電、天岳先進
-
長晶工藝:PVT、TSSG -
長晶尺寸:6-8英寸導電型/半絕緣型碳化硅襯底 -
加熱方式:感應、電阻 -
客戶:上海新昇、金瑞泓、神工股份、三安光電、東尼電子、合晶科技、比亞迪等
-
長晶工藝:PVT 法、液相法 -
長晶尺寸:6-8英寸 -
加熱方法:感應
-
長晶工藝:PVT -
長晶尺寸:6-8 -
加熱方式:感應、電阻
-
長晶工藝:PVT -
加熱方法:感應加熱 -
長晶尺寸:6-8英寸
-
長晶技術:PVT -
長晶尺寸:6-8英寸 -
加熱方式:電阻爐和感應爐
-
加熱方式:電阻法 -
長晶工藝:PVT -
長晶尺寸:6-8英寸
-
生長工藝:PVT -
長晶尺寸:4/6/8英寸 -
加熱方式:感應、電阻
-
生長工藝:PVT -
長晶尺寸:6/8英寸 -
加熱方式:電阻
-
生長工藝:PVT -
長晶尺寸:6/8英寸 -
加熱方式:感應
-
生長工藝:PVT -
長晶尺寸:6英寸導電型碳化硅晶錠 -
加熱方式:感應END
原文始發于微信公眾號(艾邦半導體網):國內碳化硅(SiC)長晶爐供應商10強
應用終端?SIC?IGBT模塊?SIC模塊?碳化硅襯底?IGBT芯片?分立器件?材料?焊接材料?真空回流焊爐?燒結銀?燒銀爐?燒結爐?陶瓷基板?銅底板?焊接設備?劃片機?晶圓貼片機?灌膠機?貼片?表面處理?硅凝膠?環氧樹脂?散熱器?鋁碳化硅?五金?鍵合機?鍵合絲?超聲焊接機?陶瓷劈刀?激光設備?設備配件?PVD設備?ALD?電子漿料?CVD?導熱材料?元器件?密封膠?X-Ray?配件?超聲波掃描顯微鏡?塑膠外殼?玻璃?塑料?線路板?設備?散熱材料?熱敏電阻?點膠機?膠水?自動化設備?運動控制?封裝設備?檢測設備?認證檢測?夾治具?清洗設備?測試設備?磨拋耗材?磨拋設備?代理?貿易?其他