喜報：連科半導體液相法碳化硅長晶爐順利驗收!

近日，連科半導體液相法碳化硅長晶爐取得關鍵性進展，液相法碳化硅(感應)加熱長晶爐及液相法碳化硅電阻加熱長晶爐順利在客戶現場完成驗收。連科半導體為客戶提供的碳化硅液相法長晶爐設備與客戶的核心工藝高度適配，為客戶能夠以可視化生長出低成本高質量的晶體提供助力，同時為連科半導體在碳化硅液相法領域打下了堅實基礎。

碳化硅液相長晶爐

1.在加熱方式層面，液相法碳化硅長晶爐兼容感應式及電阻式加熱方式，支持多加熱器的熱場設計，滿足多測溫點及CCD可視化長晶的工藝需求。可根據需求定制，匹配客戶核心工藝，滿足晶體生長的各項技術要求；

2.在尺寸設計層面，液相法碳化硅長晶爐在設計方面兼容六英寸到八英寸碳化硅單晶生長的空間，可幫助客戶在不更換設備的前提下實現長晶技術的迭代升級，最大程度的降低研發的時間及成本;

3.在技術團隊層面，連科半導體在晶體生長設備領域深耕多年，具有豐富的技術儲備和專業的技術團隊，理解客戶核心需求，響應迅速，為客戶提供專業的長晶設備和技術服務，助力客戶實現降本增效，生長更優品質的液相法碳化硅單晶。

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左半圖：C在助熔液中溶解分布以及熔體對流圖；右半圖：溫場分布圖

液相法制備碳化硅的歷史可追溯到20世紀60年代，最早是1961年由Halden等人在溶解了C的高溫Si熔體中獲取到SiC單晶的方式首次實現。

液相法技術與當前主流的氣相法在晶體生長原理及所需設備結構上存在顯著不同，故而技術難度較高。液相法是利用 Si 和 C 元素在高溫溶液中的溶解后析出，來實現 SiC 單晶的生長。其核心在于采用高純石墨坩堝充當反應器，并向熔融的純硅中加入助熔劑，提高C的溶解度。

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? ? ? ? ? ? 液相法生長SIC晶體示意圖

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液相法技術在細分領域的優勢逐步凸顯，尤其適用于生長P型碳化硅襯底，不僅可以實現生長低位錯密度、高品質的碳化硅晶片，還能顯著提升碳化硅晶片的生產成品率并降低成本。

目前來看，液相法長晶技術已然成為技術和產業關注的焦點。然而，在產業化落地的道路上還需設備制造商與襯底生產商高度協作與配合，共同推進國內液相法技術進步和產業化進程。