優睿譜成功交付晶圓邊緣檢測設備SICE200

據優睿譜總經理唐德明博士介紹，優睿譜本次推出的SICE200設備具有以下技術特點：

• 兼容6&8寸SiC&Si襯底和外延晶圓邊緣檢測，也適用于其他化合物襯底及外延晶圓的邊緣缺陷檢測

• 可同時實現對晶圓360°檢測（晶圓正面、背面及邊緣的缺陷檢測）

• 可同時實現對晶圓倒角和直徑精確測量（可選）

• 自主知識產權的光機系統可實現高分辨率、高檢出率及高檢測速率

• 晶圓厚度、TTV/Warp/Bow等參數測量（可選）

唐德明博士表示，在整機軟件和缺陷檢測算法層面，SICE200具備以下技術優勢：

• 圖像增強技術：凸顯邊緣崩邊、裂紋，表面劃傷，污漬等缺陷特征

• 豐富的條件組合判斷參數化檢測工具: 多種高精度的檢測算法工具，具備高度的自適應能力，能夠準確判斷和識別缺陷類別，并準確分類

• 晶圓倒角和直徑測量技術：對邊緣輪廓、晶圓直徑精確測量、擬合、計算其倒角和直徑尺寸功能模塊化：檢測軟件功能模塊化，可快速配置檢測程式（Recipe），滿足客戶個性化的檢測需求（可選）

• 缺陷小圖：數據留存，方便缺陷復查（Defect Review）

SICE檢測的典型的特征缺陷及倒角測量

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?圖3：裂紋缺陷

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?圖4：崩邊缺陷

此前，優睿譜已陸續推出國內首發半導體專用FTIR(傅立葉變換紅外光譜)測量設備系列（部分型號目前已獲得海外客戶訂單）：

• 適用于硅基外延層膜厚測量設備Eos200/Eos300

• 適用于硅基元素濃度（B/P/F）測量設備Eos200+/Eos300+

• 通過優化的硬件設計（更新的紅外光譜儀技術）配合自主開發的算法實現對碳化硅外延層膜厚及外延緩沖層膜厚測量設備Eos200L

• 通過優化的硬件設計（更新的紅外光譜儀技術）配合自主開發的Global Fitting Algo. ?算法技術實現碳化硅多層（≥3層）外延膜厚測量設備Eos200L+

• 硅材料中C/O含量測量設備Eos200T

優睿譜SICV200晶圓電阻率量測設備，實現了完全對標國外供應商測試性能及設備供應鏈的國產化目標。同時，針對碳化硅外延晶圓CV測量后有金屬殘留及壓痕的行業痛點做了針對性創新開發，成功解決該行業痛點，目前已得到多家客戶的訂單。

優睿譜針對碳化硅襯底晶圓位錯及微管檢測設備SICD200，實現了碳化硅位錯檢測的整片晶圓全檢測，該設備已獲得境外客戶訂單。

優睿譜Eos200DSR設備，實現了SOI晶圓重摻頂層硅厚度測量。同時，可用于硅基鈮酸鋰厚度、晶圓背封LTO厚度及光刻膠厚度測量。

優睿譜成立于2021年，由長期從事于半導體行業的海歸博士領銜，協同國內資深的半導體前道制程量測設備技術團隊共同發起成立，致力于打造高品質的半導體前道量測設備。