安泰科技—熱沉材料

裝在基板上的電子元件需要通過熱沉的作用才能夠得到有效散熱從而穩(wěn)定工作溫度，鉬銅、鎢銅、CMC和CPC材料結(jié)合了鉬、鎢的低熱膨脹率和銅的高熱導(dǎo)率，可有效釋放電子器件的熱量，有助于冷卻 IGBT 模塊、RF功率放大器、LED 芯片等各種產(chǎn)品。

1 鎢銅合金

鎢銅合金是以鎢元素為基、銅元素為副組成的一種兩相結(jié)構(gòu)偽合金，是金屬中的復(fù)合材料。WCu電子封裝片，既具有鎢的低膨脹特性，又具有銅的高導(dǎo)熱特性，尤為可貴的是，其熱膨脹系數(shù)和導(dǎo)熱導(dǎo)電性可以通過調(diào)整材料的成分而加以設(shè)計，因而給該材料的應(yīng)用帶來了極大的方便。我們采用高純的優(yōu)質(zhì)原料，經(jīng)壓制成形、高溫?zé)Y(jié)及熔滲后，得到性能優(yōu)良的WCu電子封裝材料及熱沉材料。適用于與大功率器件封裝的材料，如基片、電極等；高性能的引線框架；熱控裝置的熱控板和散熱器等。

優(yōu)點：具有與不同基體相匹配的熱膨脹系數(shù)及高的熱導(dǎo)率；優(yōu)良的高溫穩(wěn)定性及均一性；優(yōu)良的加工性能；

模壓-浸滲法制備W-Cu復(fù)合材料金相

產(chǎn)品規(guī)格：鎢銅裸片及表面鍍鎳、鍍鎳金。

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2 鉬銅合金

鉬銅合金是由兩種互不固溶的金屬所組成的假合金，兼具鉬和銅的特性，具有高熱傳導(dǎo)率、低熱膨脹系數(shù)、無磁性、低氣體含量、良好的真空性能、良好的機(jī)加工性及特殊的高溫性能等特性。

軋制工藝制備Mo-Cu復(fù)合材料金相

產(chǎn)品規(guī)格：鉬銅裸片及表面鍍鎳、鍍鎳金。

3 銅-鉬銅-銅、銅-鉬-銅

CPC（銅-鉬銅-銅）和CMC（銅-鉬-銅）是一種三層結(jié)構(gòu)材料，以較低的熱膨脹系數(shù)和遠(yuǎn)優(yōu)于WCu和MoCu的熱導(dǎo)率為高功率電子元器件提供更優(yōu)替換方案。它們能夠有效釋放電子器件的熱量，有助于冷卻 IGBT 模塊等各種產(chǎn)品?？捎糜跓岢?、引線框、多層印刷電路板(PCB)等的低膨脹層和導(dǎo)熱通道。我們可以為客戶提供各種厚度和不同層數(shù)結(jié)構(gòu)的層片結(jié)構(gòu)材料，以滿足客戶的各種使用要求。

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4 硅鋁合金

硅鋁合金密度在2.3~2.7?g/cm3之間，熱膨脹系數(shù)(CTE)在?4.1×10?6?~23.6×10?6/K之間，提高硅含量可使合金材料的密度及熱膨脹系數(shù)顯著降低。同時，硅鋁合金還具有熱導(dǎo)性能好，比剛度較高，與金、銀、銅、鎳的鍍覆性能好，與基材可焊等優(yōu)越性能。其中Si-30Al的熱膨脹系數(shù)為6.5×10?6/K，接近Si和GaAs，熱導(dǎo)率達(dá)120W/m·K，密度為2.4g/cm3，比純鋁輕近15%，比剛度（53MPa·cm3/g）為Kovar合金（17MPa·cm3/g）的3倍，WCu25（15MPa·cm3/g）的3.5倍。高硅鋁合金將成為滿足電訊、航空航天、國防和其他相關(guān)電子元器件所需求的新型封裝材料。

噴射沉積法制備的硅鋁合金中鋁的含量與熱膨脹系數(shù)的關(guān)系

5 制作工藝
領(lǐng)先的工藝制作領(lǐng)先的產(chǎn)品。不同應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Σ牧系男阅芤蟛煌蔡╇y熔采取不同的加工方式來滿足性能的要求。

安泰科技股份有限公司難熔材料分公司前身是冶金部鋼鐵研究總院難熔合金研究室，自1958年至今，已是國內(nèi)最早從事難熔金屬材料研究的單位之一。我公司生產(chǎn)的鎢銅、鉬銅及硅鋁等熱沉材料具有國際先進(jìn)水平，目前已成功進(jìn)入高端功率半導(dǎo)體元器件行業(yè)。

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